[發(fā)明專(zhuān)利]一種濕法-干法刻蝕結(jié)合提升熔石英元件閾值的表面處理方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410099320.7 | 申請(qǐng)日： | 2014-03-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103922601A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 祖小濤;向霞;晏中華 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C03C15/00 | 分類(lèi)號(hào)： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 電子科技大學(xué)專(zhuān)利中心 51203 | 代理人： | 張楊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 濕法 刻蝕 結(jié)合 提升 石英 元件 閾值 表面 處理 方法 | ||
1.一種濕法-干法刻蝕結(jié)合提升熔石英閾值的表面處理方法，包括以下步驟：
步驟1：采用去離子水清洗傳統(tǒng)的研磨拋光工藝加工的熔石英元件表面；
步驟2：采用無(wú)水乙醇進(jìn)行超聲清洗；
步驟3：對(duì)經(jīng)步驟2處理后的熔石英元件采用氫氟酸溶液進(jìn)行刻蝕處理；
步驟4：刻蝕完畢后采用去離子水清洗熔石英元件，然后采用無(wú)水乙醇對(duì)元件脫水；
步驟5：對(duì)經(jīng)步驟4處理后的熔石英元件采用含能惰性離子束進(jìn)行表面拋光，去除濕化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物SiF62－。
2.如權(quán)利要求1所述的一種濕法-干法刻蝕結(jié)合提升熔石英閾值的表面處理方法，其特征在于步驟3中采用的氫氟酸溶液濃度為1%～40%，刻蝕處理時(shí)間為1～20分鐘。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種濕法-干法刻蝕結(jié)合提升熔石英閾值的表面處理方法，其特征在于其中步驟5中所采用的惰性離子為氬、氪或氙；離子束能量為400～1000eV；離子束流密度為2～20mA/cm2；離子束入射角度為30～70°；拋光方式為大束斑定點(diǎn)拋光或掃描拋光；拋光時(shí)間為5～60分鐘。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué)，未經(jīng)電子科技大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410099320.7/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
