[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410098777.6
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103887236A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 謝振宇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種陣列基板的制造方法，該陣列基板包括柵極驅動電路，該柵極驅動電路包括多個薄膜晶體管以及連接相鄰兩個薄膜晶體管的連接柵線，其特征在于，所述制造方法包括：

S1、形成包括所述薄膜晶體管的柵極和所述連接柵線的圖形；

S2、形成柵絕緣層；

S3、形成包括柵線保護層的圖形，所述柵線保護層位于所述連接柵線上方；

S4、形成包括所述薄膜晶體管的源極和漏極的圖形。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述柵線保護層與所述薄膜晶體管的有源層材料相同，在所述步驟S3中同時形成所述柵線保護層和所述薄膜晶體管的有源層。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S3包括：

S31、形成半導體層；

S32、在所述半導體層上涂敷光刻膠層；

S33、通過光刻形成包括所述有源層和所述柵線保護層的圖形。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S33包括：

S33a、對所述光刻膠層上對應于所述薄膜晶體管和所述柵線保護層之外的部分進行曝光，使得曝光顯影后的光刻膠層上形成對應于所述薄膜晶體管的薄膜晶體管部和對應于所述柵線保護層的柵線保護部，所述柵線保護部的厚度和所述薄膜晶體管部的厚度均大于所述光刻膠層上除所述柵線保護部和所述薄膜晶體管部之外的部分的厚度；

S33b、利用刻蝕液進行刻蝕，以形成包括所述有源層和所述柵線保護層的圖形。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S33a中還包括對所述光刻膠層中與所述柵線保護部的至少一個端部對應的一部分進行曝光，使得曝光顯影后在所述柵線保護部的至少一個端部形成間隔部。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述柵線保護部的兩個端部均形成有所述間隔部。

7.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述間隔部的長度在3.0μm至5.5μm之間。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述間隔部的長度在4.0μm至5.0μm之間。

9.根據權利要求5至8中任意一項所述的制造方法，其特征在于，所述間隔部的厚度在所述柵線保護部的厚度的1/4至所述柵線保護部的厚度的1/2之間。

10.一種陣列基板，該陣列基板包括柵極驅動電路，該柵極驅動電路包括多個薄膜晶體管以及連接相鄰兩個薄膜晶體管的連接柵線，其特征在于，所述陣列基板還包括柵線保護層的圖形，所述柵線保護層位于所述薄膜晶體管的柵絕緣層上，并與所述連接柵線相對應。

11.根據權利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線保護層與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層，且由同種材料制成。

12.一種顯示裝置，該顯示裝置包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權利要求10或11所述的陣列基板。