[發明專利]刻蝕方法、在半導體基材上形成凹槽的方法、PMOS晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201410098686.2
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN104934311B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 劉煥新;劉佳磊
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/336;C23C14/34
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種PMOS晶體管的制作方法，包括在襯底上形成凹槽，并在所述凹槽中沉積硅鍺層的步驟，其特征在于，所述凹槽通過以下方法制作而成：

通過等離子刻蝕工藝刻蝕襯底，形成“U”形的預凹槽；所述刻蝕過程的工藝條件為：以CF₄和CHF₃為刻蝕氣體，濺射功率為1000瓦，刻蝕溫度為240℃，刻蝕時間為120秒；

采用HF溶液清洗刻蝕后的“U”形的預凹槽以去除凹槽表面的氧化物，清洗的工藝條件為：HF溶液中HF和H₂O的體積比為1∶100，清洗的溫度為25℃，清洗去除的氧化物的厚度為

對“U”形的預凹槽進行濕法刻蝕，形成“∑”形的凹槽；所述濕法刻蝕的工藝條件為：以四甲基氫氧化銨溶液作為刻蝕劑，其中四甲基氫氧化銨的濃度為2.38％，在無光的條件下進行刻蝕，刻蝕的溫度為25℃，刻蝕的時間為200s。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括在所述襯底上形成隔離溝槽和柵極的步驟，所述形成隔離溝槽和柵極的步驟在沉積所述硅鍺層的步驟之后進行，包括：

在所述襯底中，所述硅鍺層遠離欲形成所述柵極的位置的一側形成所述隔離溝槽；

在所述襯底上欲形成所述柵極的位置形成所述柵極。

3.一種PMOS晶體管，其特征在于，由權利要求1或2所述的制作方法制作而成。