[發(fā)明專利]存儲器單元、電可擦除可編程只讀存儲器及其控制方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410098682.4 | 申請日： | 2014-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN103886905A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 顧靖 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/14 | 分類號： | G11C16/14;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲器 單元 擦除 可編程 只讀存儲器 及其 控制 方法 | ||
1.一種存儲器單元，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底、字線、第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；
所述字線、第一有源區(qū)和第二有源區(qū)均位于所述半導(dǎo)體襯底的上面，所述字線位于所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)之間；
所述字線與所述第一有源區(qū)之間設(shè)置有第一控制柵和第一浮柵，所述第一控制柵位于所述第一浮柵的上方；
所述字線與所述第二有源區(qū)之間設(shè)置有第二控制柵和第二浮柵，所述第二控制柵位于所述第二浮柵的上方；
其中，所述第一控制柵、第二控制柵、第一浮柵和第二浮柵的長度均相等。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其特征在于，所述第一控制柵、第二控制柵、第一浮柵和第二浮柵的長度均為0.1微米。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其特征在于，所述字線與所述半導(dǎo)體襯底之間設(shè)置有柵氧化層，所述柵氧化層的厚度在30埃以下。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其特征在于，所述存儲器單元通過在所述第一有源區(qū)或第二有源區(qū)上加高電壓擦除電荷。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲器單元，其特征在于，所述第一有源區(qū)為源區(qū)，所述第二有源區(qū)為漏極；或
所述第一有源區(qū)為漏區(qū)，所述第二有源區(qū)為源區(qū)。
6.一種電可擦除可編程只讀存儲器，其特征在于，包括：如權(quán)利要求1至5中任一項所述的存儲器單元。
7.一種電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法，其特征在于，包括：通過對如權(quán)利要求1至5中任一項所述的存儲器單元的第一控制柵、第二控制柵、字線、第一有源區(qū)和第二有源區(qū)分別施加第一電壓、第二電壓、第三電壓、第四電壓和第五電壓以實現(xiàn)擦除操作；
其中，所述第四電壓和/或第五電壓為高電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法，其特征在于，所述高電壓的電壓范圍在為7V到9V之間。
9.如權(quán)利要求8所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法，其特征在于，所述第一電壓和第二電壓的電壓范圍均在-7V到-6V之間，所述第三電壓的電壓范圍在0V以下。
10.如權(quán)利要求7所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法，其特征在于，所述第一電壓、第二電壓、第三電壓、第四電壓和第五電壓分別是-6.5V、-6.5V、-2V、5.5V和5.5V。
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