[發明專利]溝槽型MOS晶體管的制造方法

無效

• 申請號: 201410098577.0
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103839833A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 吳亞貞;劉憲周
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底包括有源區和外圍區；

在所述襯底上沉積層間介質層，并刻蝕所述層間介質層以在所述有源區和外圍區分別形成有源區通孔和外圍區保護環；

通過所述有源區通孔對所述襯底進行阱區離子注入形成阱區；

利用填充物填充所述有源區通孔和外圍區保護環；

通過濕法刻蝕去除所述有源區通孔內的填充物和部分外圍區保護環內的填充物；

對所述阱區進行源區離子注入形成源區；

再次利用填充物填充所述有源區通孔和外圍區保護環，并刻蝕所述有源區通孔中的填充物形成側墻；

以所述側墻為掩膜刻蝕所述襯底形成與所述有源區接觸的接觸孔。

2.如權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述外圍區保護環的截面寬度大于所述有源區通孔的截面寬度。

3.如權利要求2所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述外圍區保護環的截面寬度在0.6微米到0.8微米之間，所述有源區通孔的截面寬度在0.2微米到0.4微米之間。

4.如權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述填充物為硼磷硅玻璃。

5.如權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于，在所述襯底上形成層間介質層之前，在提供所述襯底之后，還包括：

所述襯底中形成有溝槽；

在所述溝槽中形成柵極結構。

6.如權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于，在通過所述有源區通孔對所述襯底進行阱區離子注入形成阱區的同時，還包括：

通過所述外圍區保護環對所述襯底進行外圍區離子注入。

7.如權利要求6所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，所述阱區離子注入、外圍區離子注入及源區離子注入均為N型注入。

8.如權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，在進行源區離子注入之后，在再次利用填充物填充所述有源區通孔和外圍區保護環之前，還包括：

沉積所述側墻的氧化層；

對所述源區進行退火處理。

9.如權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，在形成與所述有源區接觸的接觸孔之后，還包括：

依次形成接觸孔阻擋層和金屬層。