[發明專利]一種去除MEMS傳感器之再沉積聚合物的方法有效
| 申請號： | 201410098538.0 | 申請日： | 2014-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN103964374A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發明（設計）人： | 張振興;熊磊 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 去除 mems 傳感器 沉積 聚合物 方法 | ||
1.一種去除MEMS傳感器之再沉積聚合物的方法，其特征在于，所述方法包括：
執行步驟S1：對沉積在所述硅基襯底上的氮化鉭層進行刻蝕；
執行步驟S2：對所述光阻層進行灰化處理；
執行步驟S3：對所述光阻層進行濕法剝離；
執行步驟S4：對所述再沉積聚合物進行離子束刻蝕；
執行步驟S5：對所述NiFe層進行離子束刻蝕。
2.如權利要求1所述的去除MEMS傳感器之再沉積聚合物的方法，其特征在于，所述再沉積聚合物進行離子束刻蝕過程中，采用Ar離子進行轟擊，且所述Ar離子之轟擊方向與所述晶圓前側的夾角α范圍為0°＜α＜30°。
3.如權利要求2所述的去除MEMS傳感器之再沉積聚合物的方法，其特征在于，所述再沉積聚合物進行離子束刻蝕過程中，采用Ar離子進行轟擊，且所述Ar離子之轟擊方向與所述晶圓前側的夾角α為15°。
4.如權利要求1所述的去除MEMS傳感器之再沉積聚合物的方法，其特征在于，所述NiFe層進行離子束刻蝕過程中，采用Ar離子進行轟擊，且所述Ar離子之轟擊方向與所述晶圓前側的夾角β范圍為90°＜β＜150°。
5.如權利要求4所述的去除MEMS傳感器之再沉積聚合物的方法，其特征在于，所述NiFe層進行離子束刻蝕過程中，采用Ar離子進行轟擊，且所述Ar離子之轟擊方向與所述晶圓前側的夾角β為135°。
6.如權利要求1所述的去除MEMS傳感器之再沉積聚合物的方法，其特征在于，所述步驟S4和所述步驟S5的離子束刻蝕過程中，所述Ar離子進行水平刻蝕，所述晶圓的傾角范圍為0°～180°。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司，未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410098538.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種旋轉封口機構
- 下一篇：一種新型腳踏式封口機
