[發明專利]制備硫化亞錫納米片陣列薄膜的方法

無效

• 申請號: 201410098257.5
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103819098A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 畢恩兵;陳漢;韓禮元
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C03C17/22
• 分類號: C03C17/22;C23C26/00
• 代理公司: 上海交達專利事務所 31201
• 代理人: 王毓理;王錫麟

1.一種制備硫化亞錫納米片陣列薄膜的方法，其特征在于，將錫源與硫源混合于水/乙二醇混合溶劑中配制出SnS前體化學反應溶液，再將導電基底快速置于盛放SnS前體化學反應溶液的聚四氟乙烯反應釜內并進行原位溶劑熱反應，使得厚度為30±5nm，長度為200～300nm的硫化亞錫納米片陣列薄膜均勻生長于導電基底的表面；

所述的原位溶劑熱反應是指：將聚四氟乙烯反應釜密封后置于馬弗爐中加熱至100℃～240℃并反應2h～120h；

所述的錫源為氯化亞錫，所述的硫源為硫代乙酰胺。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述的原位溶劑熱反應為加熱至180℃并反應12小時。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述的SnS前體化學反應溶液具體通過以下

方式制備得到：

1)將氯化亞錫加入三乙醇胺、丙酮以及檸檬酸鈉溶液混合后攪拌；

2)進一步加入硫代乙酰胺和水/乙二醇混合溶劑。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征是，在硫代乙酰胺加入前先加入氨水。

5.根據權利要求1或3所述的方法，其特征是，所述的氯化亞錫和硫代乙酰胺的摩爾比為1：1～1.5。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征是，所述的三乙醇胺、丙酮、氨水以及檸檬酸鈉的體積比分別為2.5：2：2：2～2.5。

7.根據權利要求3所述的方法，其特征是，所述的水/乙二醇混合溶劑中水與乙二醇混合溶劑的體積比為1:1。

8.根據權利要求3所述的方法，其特征是，所述的檸檬酸鈉溶液的濃度為0.1mol/L。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征是，所述的導電基底為導電玻璃或金屬。

10.一種根據上述任一權利要求所述方法制備得到的硫化亞錫納米片陣列薄膜的應用，其特征在于，將其作為電極材料用于制備面積為0.25cm²，開路光電壓V_oc為0.70mV，短路光電流J_sc為15.03mA/cm²，填充因子FF為0.68，能量轉換效率η為7.15%的染料敏化太陽能電池。