[發(fā)明專利]多異質(zhì)結(jié)納米顆粒、其制備方法以及包含該納米顆粒的制品有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410098121.4 | 申請日: | 2014-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN104046360B | 公開(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·沈;N·吳;Y·翟;S·南;P·特雷福納斯;K·德什潘德 | 申請(專利權(quán))人: | 伊利諾斯大學(xué)科技管理辦公室;羅門哈斯電子材料有限公司;陶氏環(huán)球技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/88 | 分類號: | C09K11/88;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人: | 江磊 |
| 地址: | 美國伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多異質(zhì)結(jié) 納米 顆粒 制備 方法 以及 包含 制品 | ||
1.一種半導(dǎo)體納米顆粒,其包括:具有第一端部和第二端部的一維半導(dǎo)體納米顆粒以及兩個第一端蓋,其中,所述第二端部與所述第一端部相反;所述兩個第一端蓋中的一個端蓋與所述一維半導(dǎo)體納米顆粒的第一端部相接觸,另一個端蓋與所述第二端部相接觸;其中接觸第一端部的第一端蓋包含第一半導(dǎo)體,并且該第一端蓋從所述一維半導(dǎo)體納米顆粒的第一端部延伸,形成了第一納米晶體異質(zhì)結(jié);其中接觸第二端部的第一端蓋包含第二半導(dǎo)體,該第一端蓋從所述一維半導(dǎo)體納米顆粒的第二端部延伸,形成了第二納米晶體異質(zhì)結(jié);其中所述第一半導(dǎo)體和所述第二半導(dǎo)體化學(xué)上彼此不同;其中所述第一端蓋與第一端部和第二端部切向接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體納米顆粒,該半導(dǎo)體納米顆粒還包括第二端蓋,所述第二端蓋在所述一維半導(dǎo)體納米顆粒的第一端部或第二端部處與所述第一端蓋接觸;其中所述第二端蓋具有與其所接觸的第一端蓋不同的化學(xué)組成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體納米顆粒,其特征在于,所述第一端蓋使所述一維半導(dǎo)體納米顆粒的發(fā)射中心遷移,并且/或者所述第一端蓋使所述一維半導(dǎo)體納米顆粒的第一端部鈍化。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體納米顆粒,其特征在于,所述第二端蓋使所述第一端蓋鈍化。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體納米顆粒,其特征在于,所述一維納米顆粒是納米棒、納米管、納米帶或納米須。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體納米顆粒,所述半導(dǎo)體納米顆粒還包括半導(dǎo)體結(jié)點,所述結(jié)點設(shè)置在所述一維納米顆粒的徑向表面上。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體納米顆粒,其特征在于,所述結(jié)點隨機分布或者在空間上以非連續(xù)性方式排列。
8.一種制品,其包含權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體納米顆粒。
9.如權(quán)利要求8所述的制品,其特征在于,所述制品是光致發(fā)光器件、陰極發(fā)光器件、熱致發(fā)光器件、電致發(fā)光器件或光電檢測器中的一種。
10.一種制備半導(dǎo)體納米顆粒的方法,該方法包括:使半導(dǎo)體的第一前體與半導(dǎo)體的第二前體反應(yīng)以形成一維半導(dǎo)體納米顆粒;其中,所述一維半導(dǎo)體納米顆粒具有第一端部和第二端部,所述第二端部與所述第一端部相反;使半導(dǎo)體的第三前體與所述一維納米顆粒反應(yīng)以形成所述第一端蓋,所述第一端蓋在所述第一端部處與所述一維納米顆粒切向接觸以形成第一異質(zhì)結(jié);以及,使其上設(shè)置有所述第一端蓋的一維納米顆粒與半導(dǎo)體的第四前體反應(yīng)以形成另一個第一端蓋,所述另一個第一端蓋與所述一維半導(dǎo)體納米顆粒的第二端部切向接觸并形成第二異質(zhì)結(jié);其中所述第二異質(zhì)結(jié)與所述第一異質(zhì)結(jié)組成上不同。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,所述第一前體包含鎘,所述第二前體包含硫。
12.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,所述第三前體包含鎘。
13.如權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,所述第四前體包含鋅。
14.一種制品,其包括:第一電極、第二電極,以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的包含半導(dǎo)體納米顆粒的層;其中,所述半導(dǎo)體納米顆粒包括具有第一端部和第二端部的一維半導(dǎo)體納米顆粒以及分別與所述一維半導(dǎo)體納米顆粒的第一端部和第二端部相接觸的兩個第一端蓋;其中,所述第二端部與所述第一端部相反;其中接觸第一端部的第一端蓋包含第一半導(dǎo)體,并且所述第一端蓋從所述一維半導(dǎo)體納米顆粒的第一端部延伸,形成了第一納米晶體異質(zhì)結(jié);其中接觸第二端部的第一端蓋包含第二半導(dǎo)體,該第一端蓋從所述一維半導(dǎo)體納米顆粒的第二端部延伸,形成了第二納米晶體異質(zhì)結(jié);其中所述第一半導(dǎo)體和所述第二半導(dǎo)體化學(xué)上彼此不同;其中所述第一端蓋與第一端部和第二端部切向接觸。
15.如權(quán)利要求14所述的制品,其特征在于,當(dāng)對所述制品施加電壓和電流時,所述制品發(fā)出可見光。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于伊利諾斯大學(xué)科技管理辦公室;羅門哈斯電子材料有限公司;陶氏環(huán)球技術(shù)有限公司,未經(jīng)伊利諾斯大學(xué)科技管理辦公室;羅門哈斯電子材料有限公司;陶氏環(huán)球技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410098121.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:形狀可變式履帶車
- 下一篇:一種搬運車的堆疊用引導(dǎo)部件
- 同類專利
- 專利分類
- 一種低漏電流半導(dǎo)體薄膜異質(zhì)結(jié)及制備方法
- 一種具有常關(guān)溝道的高壓多異質(zhì)結(jié)器件
- 一種鋰硫電池用正極片及包含該正極片的鋰硫電池
- 一種有機/金屬納米線異質(zhì)結(jié)及其制備方法和應(yīng)用
- 一種基于多鐵性材料的重構(gòu)天線
- 基于四價化合物異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的多尺度仿真方法
- 一種多界面磁性異質(zhì)結(jié)的制備方法
- 基于多鐵異質(zhì)結(jié)的電場控制自旋波邏輯器件及其控制方法
- 基于多周期有機異質(zhì)結(jié)超厚傳輸層的底發(fā)射器件
- 二維材料異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用、光電器件





