[發明專利]存儲器和包括存儲器的存儲器系統

有效

• 申請號: 201410098051.2
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN104376867B
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 李斗燦;宋清基
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/401
• 分類號: G11C11/401
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

一種存儲器，包括：第一單元塊，包括多個第一字線組和一個或更多個第一冗余字線組，一個或更多個第一冗余字線組中的每個對應于多個命中信號中的一個命中信號；第二單元塊，包括多個第二字線組和一個或更多個第二冗余字線組，一個或更多個第二冗余字線組中的每個對應于多個命中信號中的一個命中信號；以及控制單元，適用于響應于第一輸入地址而選擇單元塊和字線，以及基于在第一輸入地址之后輸入的輸入地址刷新選擇的字線，而當通過第一輸入地址選擇的第一選擇字線與冗余字線相鄰時，響應于第一輸入地址和命中信號而刷新與第一選擇字線相鄰的一個或更多個相鄰字線，其中，第一輸入地址在目標刷新部分中被第一個輸入。

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年8月13日提交的申請號為10-2013-0096031的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明的示例性實施例涉及存儲器和包括所述存儲器的存儲器系統。

背景技術

存儲器的存儲器單元包括用作開關的晶體管和用于儲存電荷(即，數據)的電容器。根據存儲器單元中的電容器是否儲存電荷，即根據電容器的兩個端子之間的電位是高還是低，可以將數據的邏輯電平判定為高電平(邏輯“1”)或低電平(邏輯“0”)。

由于數據以積累的電荷的形式儲存在電容器中，所以理想情況是儲存的電荷沒有功耗。然而，由于金屬氧化物半導體(MOS)晶體管的PN結會導致發生電流泄漏，所以儲存的初始電荷會被放電，且因而儲存的數據會丟失。為了防止這種數據丟失，需要讀取儲存在存儲器單元中的數據，并且在數據丟失之前基于讀取的數據對存儲器單元進行再充電。對存儲器單元進行再充電的操作被稱為刷新操作。應周期性地執行刷新操作以保持儲存的數據。

圖1是說明用于描述字線干擾的存儲器中包括的單元陣列的一部分的圖。

在圖1中，“WLK-1”、“WLK”和“WLK+1”表示依次設置在單元陣列中的三個字線。由“HIGH_ACT”指示的字線WLK表示頻繁激活的字線，其具有大量激活次數或者高的激活頻率，而字線WLK-1和WLK+1表示相鄰字線，其被設置成與頻繁激活的WLK相鄰。“CELL_K-1”、“CELL_K”和“CELL_K+1”分別表示與字線WLK-1、WLK和WLK+1耦接的存儲器單元。存儲器單元CELL_K-1、CELL_K和CELL_K+1分別包括單元晶體管TR_K-1、TR_K和TR_K+1以及單元電容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1。供作參考，“BL”和“BL+1”表示位線。

當頻繁激活的字線WLK被激活或預充電時，相鄰字線WLK-1和WLK+1的電壓由于發生在字線WLK、WLK-1和WLK+1之間的耦合現象而增大或減小。因此，影響單元電容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1中儲存的電荷量。因此，當頻繁激活的字線WLK在激活狀態和預充電狀態之間切換時，單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中儲存的數據可能會由于單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中儲存的電荷量的變化而丟失。

另外，當字線在激活狀態和預充電狀態之間切換時會產生電磁波，而電磁波允許電子流入與相鄰字線耦接的存儲器單元中包括的單元電容器或從其流出。結果，存儲器單元中儲存的數據可能會丟失。

發明內容

各種示例性實施例涉及提供一種存儲器和存儲器系統，用于通過刷新相鄰字線來防止耦接至與頻繁激活的字線相鄰的相鄰字線的存儲器單元中的數據丟失。

此外，各種示例性實施例涉及提供一種存儲器和存儲器系統，用于即使在頻繁激活的字線是替換正常字線的冗余字線時，也防止耦接至與頻繁激活的字線相鄰的相鄰字線的存儲器單元中的數據丟失。