[發明專利]一種寬電壓寬負載范圍的直流變換器

在審

• 申請號: 201410097984.X
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103916017A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 史永勝;王喜鋒;胡雙;寧青菊
• 申請（專利權）人: 陜西科技大學
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 蔡和平

1.一種寬電壓寬負載范圍的直流變換器，其特征在于，包括DSP芯片、第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)、第五MOS管(Q5)、第六MOS管(Q6)、第七MOS管(Q7)、第八MOS管(Q8)、第一變壓器(T1)、第二變壓器(T2)、驅動電路、第一采樣電路、第二采樣電路、第三采樣電路、第一電感(Lr)、第二電感(Lf)、第一電容(C1)、第二電容(C2)、第三電容(C_f)及第四電容(Cb)；

所述第一MOS管(Q1)的漏極及第三MOS管(Q3)的漏極均與低壓側(V1)相連接，第一MOS管(Q1)的源極和第二MOS管(Q2)的漏極連接，第三MOS管(Q3)的源極和第四MOS管(Q4)的漏極連接，第二MOS管(Q2)的源極與第四MOS管(Q4)的源極均接地；

所述第一變壓器(T1)中初級繞組的一端通過第一電感(Lr)與第一MOS管(Q1)的源極相連接，第一變壓器(T1)中初級繞組的另一端與第二變壓器(T2)中初級繞組的一端相連接，第二變壓器(T2)中初級繞組的另一端與第四MOS管(Q4)的漏極相連接，第一變壓器(T1)中次級繞組的一端與第六MOS管(Q6)的漏極相連接，第一變壓器(T1)中次級繞組的另一端與第二變壓器(T2)中次級繞組的一端、第一電容(C1)的一端以及第二電容(C2)的一端相連接，第二變壓器(T2)中次級繞組的另一端與第八MOS管(Q8)的漏極相連接，第一電容(C1)的另一端與第七MOS管(Q7)的漏極相連接，第二電容(C2)的另一端接地；

所述第二電感(Lf)的一端與第五MOS管(Q5)的漏極及第七MOS管(Q7)的漏極相連接，第二電感(Lf)的另一端與高壓側(V2)相連接，第五MOS管(Q5)的源極與第六MOS管(Q6)的漏極相連接，第七MOS管(Q7)的源極與第八MOS管(Q8)的漏極相連接，第六MOS管(Q6)的源極和第八MOS管(Q8)的源極均接地；第三電容(C_f)的正極與高壓側(V2)，第三電容(C_f)的負極接地，第四電容(Cb)的正極與低壓側(V1)相連接，第四電容(Cb)的負極接地；

所述第一采樣電路的輸入端與低壓側(V1)相連接，第二采樣電路的輸入端與第八MOS管(Q8)的源極相連接，第三采樣電路的輸入端與高壓側(V2)相連接，第一采樣電路的輸出端、第二采樣電路的輸出端及第三采樣電路的輸出端均與DSP芯片的輸入端相連接，DSP芯片上設有八個輸出端，DSP芯片上的八個輸出端通過驅動電路分別與第一MOS管(Q1)的柵極、第二MOS管(Q2)的柵極、第三MOS管(Q3)的柵極、第四MOS管(Q4)的柵極、第五MOS管(Q5)的柵極、第六MOS管(Q6)的柵極、第七MOS管(Q7)的柵極及第八MOS管(Q8)的柵極。

2.根據權利要求1所述的寬電壓寬負載范圍的直流變換器，其特征在于，還包括第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第三二極管(D3)、第四二極管(D4)、第五電容(C3)、第六電容(C4)、第七電容(C5)及第八電容(C6)；

所述第一MOS管(Q1)的漏極與第一二極管(D1)的陰極及第五電容(C3)的一端相連接，第一MOS管(Q1)的源極與第一二極管(D1)的陽極及第五電筒(C3)的另一端相連接；

所述第二MOS管(Q2)的漏極與第二二極管(D2)的陰極及第六電容(C4)的一端相連接，第二MOS管(Q2)的源極與第二二極管(D2)的陽極及第六電容(C4)的另一端相連接；

所述第三MOS管(Q3)的漏極與第三二極管(D3)的陰極及第七電容(C5)的一端相連接，第三MOS管(Q3)的源極與第三二極管(D3)的陽極及第七電容(C5)的另一端相連接；

所述第四MOS管(Q4)的漏極與第四二極管(D4)的陰極及第八電容(C6)的一端相連接，第四MOS管(Q4)的源極與第四二極管(D4)的陽極及第八電容(C6)的另一端相連接。