[發明專利]氟摻雜信道硅鍺層

有效

• 申請號: 201410097863.5
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN104051506B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: N·薩賽特;R·嚴;J·亨治爾;S·Y·翁
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L21/336;H01L21/22
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種形成半導體裝置的方法，包含：

在襯底中指定作為P型信道區的區域；

在指定的該P型信道區之上形成厚度40到80埃的信道硅鍺層；以及

將氟直接植入到該信道硅鍺層中。

2.根據權利要求1所述形成半導體裝置的方法，包含以8×10¹⁴至2×10¹⁵原子/平方公分的劑量植入該氟到該信道硅鍺層中。

3.根據權利要求1所述形成半導體裝置的方法，包含以5至10仟電子伏特的能量植入該氟到該信道硅鍺層中。

4.根據權利要求1所述形成半導體裝置的方法，進一步包含在植入該氟之后，以400至650℃對該信道硅鍺層進行退火。

5.根據權利要求1所述形成半導體裝置的方法，進一步包含在該信道硅鍺層上方形成柵極介電層。

6.根據權利要求5所述形成半導體裝置的方法，進一步包含在該柵極介電層上形成柵極。

7.一種形成半導體裝置的方法，包含：

將氟植入到硅襯底中被指定為P型信道區的區域；

在指定的該P型信道區之上形成厚度40到80埃的信道硅鍺層；以及

加熱該硅襯底和該信道硅鍺層，以使該氟擴散到該信道硅鍺層中。

8.根據權利要求7所述形成半導體裝置的方法，包含以1×10¹⁵至3×10¹⁵原子/平方公分的劑量在指定的該P型信道區中植入該氟。

9.根據權利要求7所述形成半導體裝置的方法，包含以5至10仟電子伏特的能量在指定的該P型信道區中植入該氟。

10.根據權利要求7所述形成半導體裝置的方法，進一步包含在植入該氟之后以及形成該信道硅鍺層之前，以650至1050℃對該硅襯底進行退火。

11.根據權利要求7所述形成半導體裝置的方法，進一步包含：

在該信道硅鍺層上方形成柵極介電層，

其中，該硅襯底和該信道硅鍺層的該加熱發生在形成該柵極介電層期間及/或之后。

12.根據權利要求11所述形成半導體裝置的方法，進一步包含：

在該柵極介電層上形成柵極，

其中，該硅襯底和該信道硅鍺層的該加熱發生在形成該柵極期間及/或之后。

13.一種半導體裝置，包含：

襯底；

該襯底中的P型信道區；以及

該襯底上的該P型信道區之上的氟摻雜信道硅鍺層，該信道硅鍺層形成至40到80埃的厚度。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，該氟以5至10仟電子伏特的能量植入。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其中，該氟以1×10¹⁵至3×10¹⁵原子/平方公分的劑量植入，并且以650至1050℃進行退火。

16.根據權利要求14所述的半導體裝置，其中，該氟以8×10¹⁴至2×10¹⁵原子/平方公分的劑量植入，并且以400至650℃進行退火。

17.根據權利要求13所述的半導體裝置，進一步包含該信道硅鍺層之上的柵極介電層。

18.根據權利要求17所述的半導體裝置，進一步包含該柵極介電層之上的金屬柵極。