[發(fā)明專利]自供電射頻收發(fā)組件中硅基熱電和光電傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410097839.1 | 申請日: | 2014-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN103910326A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖小平;閆浩 | 申請(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號: | B81B7/00 | 分類號: | B81B7/00;H02S10/30 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210096*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 供電 射頻 收發(fā) 組件 中硅基 熱電 光電 傳感器 | ||
1.一種自供電射頻收發(fā)組件中硅基熱電和光電傳感器,該微傳感器放置在射頻功率放大器的頂部,其特征是所述硅基熱電和光電傳感器由多個傳感器(1)并列構(gòu)成,傳感器(1)由多個熱電偶通過金屬線(10)串聯(lián)而成,而熱電偶主要部分是N+多晶硅的半導(dǎo)體臂(3)和Al的金屬臂(2)構(gòu)成,N+多晶硅的半導(dǎo)體臂(3)與Al的金屬臂(2)形成歐姆接觸,靠近熱沉板(8)處的歐姆接觸作為熱電偶的冷端(4),靠近導(dǎo)熱板(9)處的為熱端(5),傳感器(1)以硅襯底(6)為基底,中間SiO2層(7)為隔熱層用以防止收集到的熱能向基底(6)傳輸,硅襯底(6)以下是導(dǎo)熱板(9),上層覆蓋熱沉板(8);硅襯底(6)與SiO2層(7)同為支撐材料,起到支撐熱沉板(8)的功能,導(dǎo)熱板(9)下面接射頻收發(fā)組件的散熱板作為傳感器的熱端,熱沉板(8)作為傳感器的冷端,熱沉板(8)頂部制作一層光伏材料(11),用以接收光能從而轉(zhuǎn)換成電能;傳感器外圍輔以大電容及穩(wěn)壓電路(12),所獲得的穩(wěn)定直流電壓,供給電路自身使用,實(shí)現(xiàn)了自供電。
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