[發明專利]電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法

有效

• 申請號: 201410097822.6
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103886908B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 顧靖
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法。

背景技術

隨著存儲技術的發展，出現了各種類型的存儲器，如隨機存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態隨機存儲器(DRAM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)和閃存(Flash)等。其中，電可擦除可編程只讀存儲器是一種斷電后數據也不會丟失的存儲器，可在電腦或者專用設備上擦除已有信息，重新編程，即插即用。

請參考圖1，其為現有技術的電可擦除可編程只讀存儲器的存儲器單元的結構示意圖。如圖1所示，現有技術的電可擦除可編程只讀存儲器的存儲器單元10包括半導體襯底11、字線WL、源極S和漏極D，所述字線WL、源極S和漏極D均位于所述半導體襯底11的上面，所述字線WL位于所述源極S和漏極D之間，所述字線WL與所述源極S和漏極D之間分別形成一存儲單元，所述存儲單元包括一控制柵CG和一浮柵FG，所述浮柵FG用于保留電荷，所述控制柵CG位于所述浮柵FG的上方，所述浮柵FG和字線WL通過柵氧化層(圖中未示出)均與所述半導體襯底11隔離，所述字線WL的兩側均設置有隧穿氧化層(圖中未示出)用以與所述浮柵FG隔離。通過對所述控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D施加不同的工作電壓，可以實現對存儲器單元10的讀取、編程和擦除操作。

請參考圖2，其為現有技術的電可擦除可編程只讀存儲器的部分結構示意圖。如圖2所示，電可擦除可編程只讀存儲器100包括由多個存儲器單元10組成的存儲器陣列及與所述存儲器陣列連接的外圍電路(圖中未示出)，所述存儲器單元10包括兩個存儲單元(圖2中的方塊表示存儲單元)、字線WL、源極S、漏極D，所述存儲單元具有控制柵CG，所述存儲器陣列上的每個存儲器單元10與其它存儲器單元10在行和列上共享電學連接，同一行的存儲器單元10的控制柵CG相互連接，同一行的存儲器單元10的字線WL相互連接，同一列存儲器單元10上的源極S和漏極D共用一條位線。

請繼續參考圖2，并結合參考圖3，所述電可擦除可編程只讀存儲器進行讀取操作時，選中的存儲器單元10的控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D上施加的電壓分別為0V、3V、0V和1V，未選中的存儲器單元10的控制柵CG上所施加的電壓為0V。進行擦除時，選中的存儲器單元10的控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D上施加的電壓分別為-7V、8.5V、0V和0V，未選中的存儲器單元10的控制柵CG上所施加的電壓為-7V或者0V。進行編程時，選中的存儲器單元10的控制柵CG、字線WL、源極S和漏極D上施加的電壓分別為8V、1.5V、5.5V和Vdp，Vdp為固定電流的編程電壓，未選中的存儲器單元10的控制柵CG上所施加的電壓為8V或者0V。

然而，所述存儲器單元10的隧穿氧化層不可避免地存在著缺陷，而且由于所述電可擦除可編程只讀存儲器在進行擦除、編程和讀取操作時一直使用所述存儲器單元10中的一個存儲單元，另一個存儲單元不工作，隨著工作次數的增加，越來越多的電子會被束縛在位于處于工作狀態的存儲單元的隧穿氧化層中，使得擦除操作的時間越來越困難，進而影響所述電可擦除可編程只讀存儲器100的使用。

因此，如何解決現有的電可擦除可編程只讀存儲器的耐久性差的問題成為當前亟需解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法，以解決現有的電可擦除可編程只讀存儲器的耐久性差的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法，所述電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法包括：通過對電可擦除可編程只讀存儲器的存儲器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加不同的工作電壓進行擦除、編程和讀取操作；

每當擦除操作的次數達到設定值就將所述源極的工作電壓和漏極的工作電壓進行互換。

可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法中，所述設定值為定量。

可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法中，進行擦除操作時所述存儲器單元的控制柵、字線、源極和漏極分別施加第一電壓、第二電壓、第三電壓和第四電壓；

所述第一電壓的電壓范圍在-7.5V到-6.5V之間，所述第二電壓的電壓范圍在8V到9V之間，所述第三電壓和第四電壓的電壓范圍均在-0.5V到0.5V之間。

可選的，在所述的電可擦除可編程只讀存儲器的控制方法中，所述第一電壓、第二電壓、第三電壓和第四電壓分別是-7V、8.5V、0V和0V。