[發明專利]溫度傳感器

有效

• 申請號: 201410097770.2
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN104515613B
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 林嬉準
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G01K7/16
• 分類號: G01K7/16
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

提供了溫度傳感器。溫度傳感器包括比較電壓發生器和溫度電壓發生器。比較電壓發生器產生第一比較電壓信號和第二比較電壓信號，第一比較電壓信號的電平根據溫度變化而變化，第二比較電壓信號的電平是恒定的，與溫度變化無關。溫度電壓發生器產生第一內部電流信號和第二內部電流信號，第一內部電流信號根據第一比較電壓信號的電平而變化，第二內部電流信號的電平根據第二比較電壓信號的電平而變化。另外，溫度電壓發生器將第一內部電流信號與第二內部電流信號之間的電流差放大，以產生溫度電壓信號。

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年9月30日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2013-0116212的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此，如同全文闡述。

技術領域

本公開的實施例涉及半導體集成電路，更具體而言，涉及半導體集成電路的溫度傳感器。

背景技術

在電子產業中，隨著諸如個人計算機或通信系統的高性能電子系統的發展，對廣泛用作存儲器器件的高度集成的高速易失性存儲器件（諸如高性能的動態隨機存取存儲（DRAM）器件）的需求逐步增長。具體地，當諸如DRAM器件的半導體器件用于蜂窩電話或筆記本計算機時，要將半導體器件設計成具有良好的低功耗特性。因此，集中了大量精力來減小半導體器件的操作電流和待機電流。

包括單個晶體管和單個儲存電容器的DRAM器件的一個單元的數據保留特性對溫度非常敏感。因而，需要根據周圍溫度的變化控制半導體器件中內部電路塊的操作條件。例如，移動系統中使用的DRAM器件可以被設計成根據周圍溫度的變化來控制刷新周期時間。諸如數字溫度傳感器調節器（DTSR）或模擬溫度傳感器調節器（ATSR）的溫度傳感器廣泛地用于根據周圍溫度的變化來控制諸如DRAM器件的半導體器件的操作條件。這些溫度傳感器可以檢測出相對高的溫度，并且可以控制操作周期時間以減小自我刷新模式下的功耗。另外，溫度傳感器可以監控正常操作模式下的周圍溫度。

發明內容

根據一個實施例，一種溫度傳感器包括比較電壓發生器和溫度電壓發生器。比較電壓發生器產生第一比較電壓信號和第二比較電壓信號，第一比較電壓信號的電平根據溫度變化而變化，第二比較電壓信號的電平是恒定的，與溫度變化無關。溫度電壓發生器產生第一內部電流信號和第二內部電流信號，第一內部電流信號的電平根據第一比較電壓信號的電平變化，第二內部電流信號的電平根據第二比較電壓信號的電平變化。另外，溫度電壓發生器將第一內部電流信號與第二內部電流信號之間的電流差放大，以產生溫度電壓信號。

根據一個實施例，一種溫度傳感器包括：第一比較單元，適用于將第一分壓信號與電平根據溫度變化而變化的第一比較電壓信號進行比較以產生第一上拉信號，并且適用于產生與第一比較電壓信號的電平相對應的第一內部電流信號；第二比較單元，適用于將第二分壓信號與第二比較電壓信號進行比較以產生第二上拉信號，第二比較電壓信號的電平是恒定的，與溫度變化無關，并且第二比較單元適用于產生與第二比較電壓信號相對應的第二內部電流信號；以及放大單元，適用于響應于第一上拉信號和第二上拉信號而將第一內部電流信號的電平與第二內部電流信號的電平之間的差放大，以產生溫度電壓信號。

附圖說明

結合附圖和所附詳細描述，本發明的實施例將變得更加顯然，其中：

圖1是說明根據本發明的一個實施例的溫度傳感器的框圖；

圖2是說明圖1的溫度傳感器中包括的驅動電壓發生器的電路圖；

圖3是說明圖1的溫度傳感器中包括的比較電壓發生器的電路圖；以及

圖4是說明圖1的溫度傳感器中包括的溫度電壓發生器的電路圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖來描述本發明的各種實施例。然而，本文描述的實施例僅出于說明的目的，并非旨在限制本發明的范圍。