[發(fā)明專利]非易失性存儲器及其操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410097572.6
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103871465A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/34
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種非易失性存儲器，其特征在于，所述非易失性存儲器包括：

襯底，所述襯底中具有漏極；

浮柵，設置于所述漏極一側的所述襯底上；

控制柵，設置于所述浮柵上；

閾值電壓提供單元，與所述控制柵相連，所述閾值電壓提供單元具有至少一柵漏連接的晶體管，所述閾值電壓提供單元用于向所述控制柵提供所述至少一柵漏連接的晶體管的閾值電壓。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述閾值電壓提供單元包括一個晶體管，所述晶體管的柵極與漏極相連，所述晶體管的源極接地，向所述晶體管的漏極提供一正向電流，所述晶體管的漏極連接所述控制柵，為所述控制柵提供所述晶體管的閾值電壓。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述閾值電壓提供單元包括多級晶體管，每級所述晶體管的柵極與本級所述晶體管的漏極相連，下一級所述晶體管的漏極與上一級所述晶體管的源極串聯(lián)連接，最后一級所述晶體管的源極接地，向第一級所述晶體管的漏極提供一正向電流，第一級所述晶體管的漏極連接所述控制柵，為所述控制柵提供多級所述晶體管的閾值電壓。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述非易失性存儲器為電可擦可編程只讀存儲器，所述電可擦可編程只讀存儲器還包括一選擇柵，所述選擇柵設置于所述浮柵背離所述漏極一側的所述襯底上。

5.如權利要求4所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述選擇柵與襯底之間具有一絕緣層，所述絕緣層的厚度為

6.如權利要求4所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述電可擦可編程只讀存儲器為雙浮柵、雙控制柵結構。

7.一種非易失性存儲器的操作方法，其特征在于，所述非易失性存儲器為如權利要求1-6中任意一項所述的非易失性存儲器，所述非易失性存儲器的操作方法包括：

對所述非易失性存儲器進行讀取操作時，所述閾值電壓提供單元向所述控制柵提供所述至少一柵漏連接的晶體管的閾值電壓。

8.如權利要求7所述的非易失性存儲器的操作方法，其特征在于，所述非易失性存儲器的操作方法還包括，對所述非易失性存儲器進行擦除操作時：

向所述漏極施加第一電壓，向所述控制柵施加第二電壓，其中，所述第一電壓大于所述第二電壓，存儲在所述浮柵內(nèi)的電子流入所述漏極。

9.如權利要求8所述的非易失性存儲器的操作方法，其特征在于，所述第一電壓的取值范圍為3V～10V。

10.如權利要求8所述的非易失性存儲器的操作方法，其特征在于，所述第二電壓的取值范圍為-2V～-10V。