[發(fā)明專利]去除缺陷的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410097527.0
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103839885A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設計）人: 王鐵渠;王雷;孫洪福;崔永鵬;馮俊偉
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種去除缺陷的方法。

背景技術

半導體工藝中，沉積的薄膜表面若形成有顆粒（Particle）則會影響半導體器件的性能。

請參考圖1，在半導體后段形成金屬互連線的工藝中，半導體表面依次形成有層間介質(zhì)層（IMD）10、第一隔離層20、金屬層30以及第二隔離層40，然而，在形成第二隔離層40后，通常會有較多的缺陷（Defect）50殘留在所述第二隔離層40表面或者內(nèi)部。現(xiàn)有技術中，通常采用水或氣對所述第二隔離層40的表面進行清洗（Scrubber），然而僅僅能夠清洗掉殘留在所述第二隔離層40表面的缺陷50，無法清除部分或者全部位于所述第二隔離層40內(nèi)的缺陷50，若所述第二隔離層40遭受數(shù)量較為嚴重的缺陷50，可能會導致半導體器件的報廢。

那么，如何去除位于所述第二隔離層40內(nèi)的缺陷50便成為本領域技術人員急需解決的技術問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種去除缺陷的方法，能夠去除位于薄膜內(nèi)的缺陷，避免報廢情況發(fā)生。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種去除缺陷的方法，包括步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底表面依次形成有層間介質(zhì)層、第一隔離層、金屬層和第二隔離層；

采用多次刻蝕依次去除所述第二隔離層和金屬層，刻蝕停止于所述第一隔離層；

采用化學機械研磨去除所述第一隔離層，暴露出所述層間介質(zhì)層；

在所述層間介質(zhì)層的表面依次形成第一隔離層、金屬層和第二隔離層。

進一步的，所述第二隔離層的表面形成有底部抗反射層。

進一步的，采用第一濕法刻蝕去除所述底部抗反射層，刻蝕停止于所述第二隔離層。

進一步的，所述第一濕法刻蝕采用氫氟酸。

進一步的，在重新形成所述第一隔離層、金屬層和第二隔離層之后，在所述第二隔離層表面重新形成所述底部抗反射層。

進一步的，采用第二濕法刻蝕去除所述第二隔離層，刻蝕停止于所述金屬層上。

進一步的，所述第二濕法刻蝕采用雙氧水和氨水混合液。

進一步的，采用第三濕法刻蝕去除所述金屬層，刻蝕停止于所述第一隔離層上。

進一步的，所述第三濕法刻蝕采用硝酸、磷酸和醋酸的混合液。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在：先采用多步刻蝕分別依次去除第二隔離層和金屬層，從而能夠刻蝕去除殘留在所述第二隔離層內(nèi)的缺陷，接著，采用化學機械研磨去除第一隔離層，接著，在暴露出的層間介質(zhì)層表面依次重新形成第一隔離層、金屬層和第二隔離層，由于去除第一隔離層采用化學機械研磨不會對層間介質(zhì)層造成損傷，從而保證層間介質(zhì)層的質(zhì)量，不會影響半導體芯片，并且能夠完全去除位于第二隔離層內(nèi)的缺陷，提高半導體芯片的良率，避免報廢情況發(fā)生。

附圖說明

圖1為第二隔離層內(nèi)殘留有多個缺陷的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例一中去除缺陷的方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明實施例一中刻蝕去除第二隔離層后的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例一中刻蝕去除金屬層后的結構示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例一中研磨去除第一隔離層后的結構示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例一中重新形成第一隔離層、金屬層和第二隔離層后的結構示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例二中底部抗反射層內(nèi)殘留有多個缺陷的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發(fā)明的去除缺陷的方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規(guī)工作。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

實施例一