[發明專利]光阻加固設備及微粒污染排除方法在審
| 申請號： | 201410097452.6 | 申請日： | 2014-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN103871932A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 巴文林;包中誠 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 加固 設備 微粒 污染 排除 方法 | ||
1.一種光阻加固設備，其特征在于，包括：反應腔室、與所述反應腔室連接的進氣管及與所述反應腔室連接的排氣管，其中，所述反應腔室中設置有測量裝置，所述測量裝置能夠測量所述排氣線路的狀態并且發出測量信息。
2.如權利要求1所述的光阻加固設備，其特征在于，所述測量裝置為一個或者多個傳感器。
3.如權利要求1所述的光阻加固設備，其特征在于，還包括控制系統，所述控制系統能夠接收所述測量裝置發出的測量信息。
4.如權利要求1所述的光阻加固設備，其特征在于，所述排氣線路的狀態包括所述反應腔室的氣壓狀況和/或所述排氣管的擁堵狀況。
5.如權利要求4所述的光阻加固設備，其特征在于，當所述排氣線路的狀態不適合排氣時，所述測量裝置發出不適合排氣的警報信息。
6.如權利要求5所述的光阻加固設備，其特征在于，所述排氣線路的狀態不適合排氣包括所述反應腔室的氣壓低于預設值或者所述排氣管堵塞。
7.如權利要求5所述的光阻加固設備，其特征在于，還包括設置于所述排氣管上的控制閥，通過松緊所述控制閥能夠改變所述排氣線路的狀態。
8.一種如權利要求1～7中任一項所述的光阻加固設備的微粒污染排除方法，其特征在于，包括：
向進氣管通入氣體；
若測量裝置發出的測量信息顯示排氣線路的狀態適合排氣時，則從排氣管排出氣體。
9.如權利要求8所述的微粒污染排除方法，其特征在于，若測量裝置發出的測量信息顯示排氣線路的狀態不適合排氣時，則先調整排氣線路的狀態至適合排氣，再從排氣管排出氣體。
10.如權利要求9所述的微粒污染排除方法，其特征在于，通過松緊控制閥調整排氣線路的狀態至適合排氣。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
