[發明專利]一種防止質量流量控制器內部氣體泄露的方法

在審

• 申請號: 201410097450.7
• 申請日: 2014-03-17
• 公開（公告）號: CN103869837A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 田守衛;孫洪福;姜國偉;牟善勇
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G05D7/06
• 分類號: G05D7/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及質量流量控制器，特別涉及一種防止質量流量控制器內部氣體泄露的方法。

背景技術

質量流量控制器（Mass?Flow?Controller，MFC）主要用于對氣體的質量流量進行精密測量和控制，在半導體微電子工業、特種材料研制、化學工業、石油工業、醫藥、環保和真空等多種領域的科研和生活中有著重要的作用。

質量流量控制器由質量流量計、控制器組成，不但具有流量計的功能，還能自動控制氣體流量，即用戶可根據需要進行流量設定，MFC自動地將流量恒定在設定值上。質量流量計由分流器通道、流量傳感器和放大電路等部件組成，在此基礎上，再加上調節閥和PID（Proportion?Integration?Differentiation，比例積分微分）控制電路就構成了質量流量控制器。

半導體設備中需要精確控制氣體的質量流量，每種設備不同的工藝都需要不同的氣體的流量配比，因此每種氣體都需要相對應的質量流量控制器來控制氣體流量。若反應氣體為活性氣體，例如SiH4，質量流量控制器則用于控制活性氣體的流量，活性氣體易與氧氣發生化學反應，生成的反應物（例如：SiH4生成的產物為SiO2）會堵塞在質量流量控制器的調節閥上，關閉調節閥停止向反應腔室通入活性氣體時，由于調節閥上存在有累積的反應物，會導致調節閥無法完全關閉，因此會有部分反應氣體通過未關緊的調節閥并堵在下一調節閥前的管路內，這部分活性氣體并沒有計算在需要的氣體流量之中，由此會影響反應腔室下一步的制程，對最終半導體器件的性能造成影響。

因此，如何防止質量流量控制器內部氣體泄露，是提高質量流量控制器控制精度所需要解決的技術問題。

發明內容

本發明提供了一種防止質量流量控制器內部氣體泄露的方法，以解決現有技術中質量流量控制器內部氣體泄露對流量控制造成的影響。

本發明提供的防止質量流量控制器內部氣體泄露的方法，所述質量流量控制器的進氣端上設置有第一調節閥，出氣端連接至一腔室，所述質量流量控制器完成某一制程后，抽空從所述腔室至所述第一調節閥的管路內的氣體以及所述質量流量控制器內的氣體。

進一步的，所述質量流量控制器控制的氣體為如SiH4。

進一步的，所述質量流量控制器的出氣端上設置有第二調節閥以及第三調節閥。

進一步的，所述第二調節閥靠近所述質量流量控制器，所述第三調節閥靠近所述腔室。

進一步的，抽空氣體時，打開所述第二調節閥和第三調節閥，抽空氣體后，關閉所述第二調節閥和第三調節閥。

進一步的，所述質量流量控制器上設置有質量流量控制器調節閥。

與現有技術相比，本發明具有以下優點：

本發明提供的防止質量流量控制器內部氣體泄露的方法，在質量流量控制器完成每一制程后，抽空從所述腔室至所述第一調節閥的管路內的氣體以及所述質量流量控制器內的氣體，然后再進行下一制程，所述質量流量控制器內及管路中的氣體都被抽空，不會對下一制程造成影響，并且可以提高質量流量控制器的控制精度。

附圖說明

圖1為本發明一實施例所提供的質量流量控制器的連接示意圖。

圖2為本發明一實施例所提供的防止質量流量控制器內部氣體泄露的方法的流程示意圖。

圖3為本發明一實施例所提供的防止質量流量控制器內部氣體泄露的方法的測量結果。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的防止質量流量控制器內部氣體泄露的方法做進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚，需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

圖1為本發明一實施例所提供的質量流量控制器的連接示意圖，如圖1所示，所述質量流量控制器MFC的進氣端1上設置有第一調節閥10，出氣端2連接至一腔室chamber；圖2為本發明一實施例所提供的防止質量流量控制器內部氣體泄露的方法的流程示意圖，如圖2所示，本發明提出的一種防止質量流量控制器內部氣體泄露的方法，包括以下步驟：

步驟01：完成某一制程；

步驟02：抽空所述腔體至所述第一調節閥10的管路內的氣體以及所述質量流量控制器MFC內的氣體；

步驟03：進行下一制程。