[發明專利]MEMS器件的制造方法有效
| 申請號： | 201410097373.5 | 申請日： | 2014-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN103832968A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | 張振興;奚裴;熊磊;王健鵬;時廷 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mems 器件 制造 方法 | ||
1.一種MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
在所述襯底上形成氮化鉭層；
在所述氮化鉭層上形成介質抗反射層；
在所述介質抗反射層上涂布光刻膠并進行光刻；
對所述介質抗反射層和氮化鉭層進行刻蝕，形成溝槽；
對形成有所述溝槽的MEMS器件執行加強的灰化和濕法清洗工藝。
2.如權利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述介質抗反射層是DARC，所述介質抗反射層采用的材料為SiON。
3.如權利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述介質抗反射層是通過化學氣相沉積工藝形成的。
4.如權利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，還包括：在形成氮化鉭層之前，在所述襯底上形成鎳鐵層。
5.如權利要求4所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述鎳鐵層和氮化鉭層是通過物理氣相沉積工藝形成的。
6.一種MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
在所述襯底上形成氮化鉭層；
在所述氮化鉭層上形成介質抗反射層；
在所述介質抗反射層上涂布底部抗反射涂層；
在所述底部抗反射涂層上涂布光刻膠并進行光刻；
對所述介質抗反射層和氮化鉭層進行刻蝕，形成溝槽；
對形成有所述溝槽的MEMS器件執行加強的灰化和濕法清洗工藝。
7.如權利要求6所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述介質抗反射層是DARC，所述介質抗反射層采用的材料為SiON。
8.如權利要求7所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述介質抗反射層是通過化學氣相沉積工藝形成的。
9.如權利要求6所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，還包括：在形成氮化鉭層之前，在所述襯底上形成鎳鐵層。
10.如權利要求9所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述鎳鐵層和氮化鉭層是通過物理氣相沉積工藝形成的。
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