[發(fā)明專利]用于從襯底局部且可控地去除材料的方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410095988.4
• 申請(qǐng)日: 2014-03-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104051240B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃暉閔;林志偉;陳正庭;鄭明達(dá);劉重希
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種從襯底去除材料的方法，包括：

提供局部分配裝置；

將襯底定向在所述局部分配裝置之上，所述襯底具有設(shè)置在所述襯底的頂面上的光敏材料；

將來(lái)自所述局部分配裝置的噴嘴的溶劑分配到定向的襯底的頂面上，其中，所述溶劑去除所述光敏材料，所述噴嘴比所述局部分配裝置的其他部分更接近所述襯底的頂面水平，所述襯底的頂面水平是所述襯底的最高的高度水平；

在分配所述溶劑之后，將分配的溶劑收集在所述局部分配裝置的設(shè)置在所述噴嘴的基部周?chē)娜萜髦校灰约?/p>

使收集的溶劑再循環(huán)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述局部分配裝置包括從容器延伸出來(lái)的導(dǎo)管，并且所述溶劑經(jīng)由所述導(dǎo)管提供至所述頂面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

加熱所述局部分配裝置中的溶劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，分配所述溶劑還包括改變分配所述溶劑的角度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，分配所述溶劑包括從所述局部分配裝置的多個(gè)噴嘴分配所述溶劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，分配所述溶劑還包括：

將所述溶劑分配至所述襯底的第一區(qū)域；以及

將所述溶劑分配至所述襯底的第二區(qū)域，并且所述溶劑不進(jìn)入所述襯底的第三區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

識(shí)別具有所述光敏材料的所述襯底的多個(gè)區(qū)域；以及

僅將所述溶劑分配至被識(shí)別的區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，識(shí)別所述多個(gè)區(qū)域包括使用設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)來(lái)確定具有所述材料的區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述襯底上形成所述光敏材料；以及

在對(duì)所述襯底定向之前，對(duì)所述材料執(zhí)行光刻工藝以圖案化所述材料。

10.一種從襯底去除材料的方法，包括：

接收描述在襯底上形成的材料的圖案的數(shù)據(jù)；

限定使用可編程的局部分配裝置去除所述材料的圖案的路徑，所述局部分配裝置包括噴嘴，所述噴嘴比所述局部分配裝置的其他部分更接近所述襯底的頂面水平，所述襯底的頂面水平是所述襯底的最高的高度水平；

根據(jù)被限定的路徑，使用所述局部分配裝置將溶劑分配到所述襯底上；

在分配所述溶劑之后，分配的溶劑被帶回所述局部分配裝置的設(shè)置在所述噴嘴的基部周?chē)娜萜髦?；以?/p>

使帶回的溶劑再循環(huán)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，接收描述所述材料的圖案的數(shù)據(jù)包括接收識(shí)別具有光刻膠部件的所述襯底的區(qū)域的數(shù)據(jù)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，分配的溶劑從所述襯底去除所述材料的圖案。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，限定所述路徑包括識(shí)別沿著所述襯底上的不同徑向點(diǎn)設(shè)置在所述襯底上的多個(gè)區(qū)域，且包括被限定的路徑中的被識(shí)別區(qū)域。

14.一種從半導(dǎo)體晶圓去除材料的系統(tǒng)，包括：

支撐卡盤(pán)，用于保持半導(dǎo)體晶圓；

局部分配裝置，設(shè)置在所述支撐卡盤(pán)下方，其中，所述局部分配裝置包括：

容器，用于保存溶劑；

導(dǎo)管，從所述容器垂直地向上延伸出來(lái)；

噴嘴，位于所述導(dǎo)管的端部，其中，所述噴嘴比所述局部分配裝置的其他部分更接近所述半導(dǎo)體晶圓的頂面水平，所述半導(dǎo)體晶圓的頂面水平是所述半導(dǎo)體晶圓的最高的高度水平，其中，在所述溶劑被分配之后，分配的溶劑被帶回所述局部分配裝置的設(shè)置在所述噴嘴的基部周?chē)娜萜髦?，帶回的溶劑被循環(huán)使用；以及

泵，用于從所述容器通過(guò)所述導(dǎo)管提供所述溶劑；

其中，所述支撐卡盤(pán)將所述半導(dǎo)體晶圓保持為反轉(zhuǎn)位置，從而使得所述溶劑進(jìn)入的所述半導(dǎo)體晶圓的表面朝下。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中，所述噴嘴限定分配的所述溶劑的尺寸、形狀和角度。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，還包括：

控制器模塊，連接至所述局部分配裝置，且用于可編程地控制所述局部分配裝置的分配位置。