[發明專利]天線模塊及其制造方法

無效

• 申請號: 201410095976.1
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN104051851A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 井上真彌;程野將行;本上滿
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01Q3/00
• 分類號: H01Q3/00;H01Q13/10
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種天線模塊，其中，

該天線模塊具備：

基底層，其具有絕緣性，并具有第1面和第2面；

電極，其以能夠接收或者能夠發送太赫頻帶內的電磁波的方式形成于上述基底層的上述第1面和上述第2面中的至少一個面之上；以及

半導體元件，其以與上述電極電連接的方式安裝在上述基底層的上述第1面和上述第2面中的至少一個面之上，能夠在太赫頻帶下進行動作，

上述電極包括第1導電層和第2導電層，該第1導電層和第2導電層構成具有開口的漸變槽天線，

上述開口具有從上述第1導電層和上述第2導電層的一端向另一端連續地減小或者階梯地減小的寬度，

在上述第1導電層上以如下方式形成第1狹縫：將上述第1導電層分離成第1元件連接部和第1天線部，該第1元件連接部位于上述第1導電層的上述另一端且與上述半導體元件電連接，該第1天線部不與上述半導體元件電連接，

在上述第2導電層上以如下方式形成第2狹縫：將上述第2導電層分離成第2元件連接部和第2天線部，該第2元件連接部位于上述第2導電層的上述另一端且與上述半導體元件電連接，該第2天線部不與上述半導體元件電連接。

2.根據權利要求1所述的天線模塊，其中，

上述第1狹縫和上述第2狹縫相對于上述開口的中心線對稱地形成。

3.根據權利要求1或2所述的天線模塊，其中，

上述第1元件連接部具有比上述第1天線部小的面積，上述第2元件連接部具有比上述第2天線部小的面積。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的天線模塊，其中，

上述第1導電層具有第1側面，

上述第2導電層具有第2側面，

上述開口形成于上述第1導電層的上述第1側面與上述第2導電層的上述第2側面之間，

上述第1狹縫以自上述第1導電層的上述第1側面向外側和上述另一端靠近的方式形成，

上述第2狹縫以自上述第2導電層的上述第2側面向外側和上述另一端靠近的方式形成。

5.根據權利要求4所述的天線模塊，其中，

上述第1狹縫和上述第2狹縫形成為直線狀。

6.根據權利要求4所述的天線模塊，其中，

上述第1狹縫以自上述第1導電層的上述第1側面起相對于上述開口的中心線所成的角度逐漸變小的方式形成為曲線狀，

上述第2狹縫以自上述第2導電層的上述第2側面起相對于上述開口的中心線所成的角度逐漸變小的方式形成為曲線狀。

7.根據權利要求4至6中任一項所述的天線模塊，其中，

上述第1導電層在上述另一端側具有與上述開口的中心線大致垂直的第1端面，

上述第2導電層在上述另一端側具有與上述開口的中心線大致垂直的第2端面，

上述第1狹縫以自上述第1導電層的上述第1側面向上述第1端面延伸的方式形成，

上述第2狹縫以自上述第2導電層的上述第2側面向上述第2端面延伸的方式形成。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的天線模塊，其中，

上述基底層是由樹脂構成的電介質膜。

9.一種天線模塊的制造方法，其中，

該天線模塊的制造方法包括以下工序：

在絕緣性的基底層的第1面和第2面中的至少一個面之上，以能夠接收或者能夠發送太赫頻帶內的電磁波的方式形成電極；

將能夠在太赫頻帶下進行動作的半導體元件以與上述電極電連接的方式安裝在上述基底層的上述第1面和上述第2面中的至少一個面之上，

上述電極包括第1導電層和第2導電層，該第1導電層和第2導電層構成具有開口的漸變槽天線，

上述開口具有從上述第1導電層和上述第2導電層的一端向另一端連續地減小或者階梯地減小的寬度，

在上述第1導電層上以如下方式形成第1狹縫：將上述第1導電層分離成第1元件連接部和第1天線部，該第1元件連接部位于上述第1導電層的上述另一端且與上述半導體元件電連接，該第1天線部不與上述半導體元件電連接，

在上述第2導電層上以如下方式形成第2狹縫：將上述第2導電層分離成第2元件連接部和第2天線部，該第2元件連接部位于上述第2導電層的上述另一端且與上述半導體元件電連接，該第2天線部不與上述半導體元件電連接。