[發明專利]用于氣體存儲的多孔納米管存儲介質及方法有效
| 申請號: | 201410095873.5 | 申請日: | 2014-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN103883872A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 孫剛;徐莉梅;王恩哥;基拉瓦特·唐巴尼達儂 | 申請(專利權)人: | 北京大學 |
| 主分類號: | F17C3/00 | 分類號: | F17C3/00;F17C13/00 |
| 代理公司: | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 周政 |
| 地址: | 100871 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 氣體 存儲 多孔 納米 介質 方法 | ||
1.一種用于氣體存儲的多孔納米管存儲介質,包括具有多個空位缺陷的單壁碳納米管。
2.如權利要求1所述的用于氣體存儲的多孔納米管存儲介質,其特征在于,所述氣體包括氫氣,氧氣,二氧化氮。
3.如權利要求1或2所述的用于氣體存儲的多孔納米管存儲介質,其特征在于,所述氣體為氫氣時,所述空位缺陷含的空位碳原子數目小于8。
4.如權利要求1所述的用于氣體存儲的多孔納米管存儲介質,其特征在于,所述空位缺陷通過離子束轟擊方法制造得到。
5.一種用于氣體存儲的方法,包括以下步驟:
1)在單壁碳納米管上制造出多個空位缺陷;
2)在低溫下,將帶有空位缺陷的單壁碳納米管放入待存儲氣體環境中,使得待存儲氣體分子被物理吸附在碳納米管內部和外部。
6.如權利要求5所述的用于氣體存儲的方法,其特征在于,所述氣體包括氫氣,氧氣,二氧化氮。
7.如權利要求5所述的用于氣體存儲的方法,其特征在于,步驟1)中,通過離子束轟擊方法在單壁碳納米管上制造出多個空位缺陷。
8.如權利要求5或6所述的用于氣體存儲的方法,其特征在于,所述氣體為氫氣時,步驟1)中所述空位缺陷含的空位碳原子數目小于8。
9.如權利要求5所述的用于氣體存儲的方法,其特征在于,步驟2)中,所述低溫為100K以下,高于液氮溫度。
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