[發明專利]碳酸鹽巖縫洞儲層儲量校正方法有效
| 申請號: | 201410095042.8 | 申請日: | 2014-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN104914470B | 公開(公告)日: | 2018-01-19 |
| 發明(設計)人: | 張梅華;孫庚文;郭海華 | 申請(專利權)人: | 恒泰艾普集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G01V1/36 | 分類號: | G01V1/36 |
| 代理公司: | 北京商專永信知識產權代理事務所(普通合伙)11400 | 代理人: | 方挺,葛強 |
| 地址: | 100094 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 碳酸鹽 巖縫洞儲層 儲量 校正 方法 | ||
1.碳酸鹽巖縫洞儲層儲量校正方法,包括:
根據待上交碳酸鹽巖縫洞儲層區域的地震反演數據預測該區域的儲層分布;
將所述待上交碳酸鹽巖縫洞儲層區域的測井解釋及所述儲層分布的特征數據進行交匯,獲取有效碳酸鹽巖縫洞儲層區域;
在所述有效碳酸鹽巖縫洞儲層區域中設立樣本井;
根據所述樣本井的實際已開采量及物質平衡方程獲取實際開采體積;
根據多口樣本井的波阻抗反演雕刻體積及所述多口樣本井所對應的實際開采體積,通過比對分析獲取儲層體積校正系數;
根據有效碳酸鹽巖縫洞儲層區域內的地震數據及波阻抗門限值,對有效碳酸鹽巖縫洞儲層區域的體積雕刻;
根據所述儲層體積校正系數對雕刻所獲得的測量儲層體積進行校正。
2.如權利要求1所述的方法,所述測井解釋的參數包括:深淺側向電阻率、深淺側向電阻率比、孔隙度、裂縫孔隙度中的一個或多個;所述儲層分布的特征數據包括:波阻抗值。
3.如權利要求2所述的方法,所述根據待上交碳酸鹽巖縫洞儲層區域的地震反演數據預測該區域的儲層分布的步驟包括:
采集待上交碳酸鹽巖縫洞儲層區域的地震數據;
根據所述地震數據進行地震波阻抗反演,獲取待上交碳酸鹽巖縫洞儲層區域的地震波阻抗值反演數據。
4.如權利要求3所述的方法,將所述待上交碳酸鹽巖縫洞儲層區域的測井解釋及所述儲層分布的特征數據進行交匯,獲取有效碳酸鹽巖縫洞儲層區域的步驟包括:
根據所述待上交碳酸鹽巖縫洞儲層區域的測井解釋,確定有效孔隙度;
將所述有效孔隙度與所述波阻抗值進行交匯,確定波阻抗門限值;
根據所述波阻抗門限值及所述地震波阻抗值反演數據,獲取有效碳酸鹽巖縫洞儲層分布區域。
5.如權利要求4所述的方法,所述有效孔隙度為1.8%。
6.如權利要求5所述的方法,所述根據有效碳酸鹽巖縫洞儲層區域內的地震數據及波阻抗門限值,對有效碳酸鹽巖縫洞儲層區域的體積雕刻的步驟包括:
根據有效碳酸鹽巖縫洞儲層區域內的地震數據、波阻抗門限值及有效孔隙度,對有效碳酸鹽巖縫洞儲層區域進行體積雕刻。
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