[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201410094885.6
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN104916747B
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發明（設計）人: 林義杰
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光元件，包含：

基板；

發光疊層，位于該基板的上方，可發出一紅外線(IR)波長的光，該發光疊層包含第一電性半導體層及第二電性半導體層，其中該第一電性半導體層為砷化鋁鎵(AlGaAs)的材料；以及

半導體窗戶層，由AlGaInP系列的材料組成，位于該基板與該發光疊層之間，該半導體窗戶層為一單一層結構且與該第一電性半導體層直接接觸。

2.如權利要求1所述的發光元件，其中該基板包含砷化鎵(GaAs)。

3.如權利要求1所述的發光元件，其中該發光疊層具有第一折射率n₁，該半導體窗戶層具有第二折射率n₂，該第一折射率n₁大于該第二折射率n₂至少0.2以上。

4.如權利要求1所述的發光元件，其中該半導體窗戶層包含(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P，其中x為0.1～1。

5.如權利要求1所述的發光元件，其中該發光疊層包含：

活性層，位于該第一電性半導體層與該第二電性半導體層之間。

6.如權利要求5所述的發光元件，其中該活性層包含一多重量子阱結構(MQW)，該多重量子阱結構包含多個阻障層及一阱層位于相鄰的兩該阻障層間，其中該多個阻障層中最臨近該第一電性半導體層的該阻障層及最臨近該第二電性半導體層的該阻障層不含磷(P)，其余的該阻障層含磷(P)。

7.如權利要求1所述的發光元件，還包含一摻雜硅(Si)的砷化鎵(GaAs)的緩沖層位于該基板與該半導體窗戶層之間。

8.如權利要求1所述的發光元件，還包含一側向光取出層，位于該發光疊層之上。

9.如權利要求1所述的發光元件，其中該半導體窗戶層的厚度小于1μm。

10.如權利要求1所述的發光元件，其中該紅外線(IR)波長介于約750nm至1100nm之間。

11.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一電性半導體層摻雜碲(Te)或硒(Se)。

12.如權利要求1所述的發光元件，還包含一圖案化的下電極，位于該基板之下。

13.如權利要求12所述的發光元件，其中該下電極的圖案為網格狀(mesh)或多個圓形。

14.如權利要求1所述的發光元件，其中，該紅外線(IR)波長大于900nm，且該半導體窗戶層的厚度小于1μm。

15.如權利要求1所述的發光元件，其中，該發光元件中不具有任何分散式布拉格反射結構(DBR)在該基板與該發光疊層之間。