[發明專利]一種用于溝槽功率MOSFET晶片的溝槽制備方法

在審

• 申請號: 201410094479.X
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN104916529A
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發明（設計）人: 吳亞貞;摟穎穎;劉憲周;廖劍峰
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/02
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張妍;張靜潔

1.一種用于溝槽功率MOSFET晶片的溝槽制備方法，其特征在于，該溝槽制備方法包含以下步驟：

步驟1、在襯底上沉積硬掩膜氧化物薄膜層；

步驟2、溝槽光刻制程；

光刻制程依次包含前處理，上光阻，軟烘，曝光，曝光后烘烤，顯影，硬烘步驟；

在前處理過程中，包含以下步驟：

步驟2.11、在硬掩膜氧化物薄膜層上深紫外線DUV涂布?BARC抗反射涂層；

步驟2.12、進行EBR清邊處理，去除晶片邊緣的BARC，清邊處理后，剩余的BARC的邊緣與晶片邊緣的距離為d1；

步驟2.13、蒸鍍HMDS六甲基二硅氮甲烷，該HMDS覆蓋整個晶片表面；

在上光阻過程中，包含以下步驟：

步驟2.21、在BARC上涂布正光阻PR；

步驟2.22、進行EBR處理，去除晶片邊緣的光阻，清邊處理后，剩余的光阻的邊緣與晶片邊緣的距離為d2；

步驟3、溝槽硬掩膜氧化物刻蝕制程；

步驟4、溝槽硅刻蝕制程；

所述的距離d1大于距離d2。

2.如權利要求1所述的用于溝槽功率MOSFET晶片的溝槽制備方法，其特征在于，所述的距離d1的范圍為1.3～1.9mm，所述的距離d2的數值為1mm。

3.一種用于溝槽功率MOSFET晶片的溝槽制備方法，其特征在于，該溝槽制備方法包含以下步驟：

步驟1、在襯底上沉積硬掩膜氧化物薄膜層；

步驟2、溝槽光刻制程；

光刻制程依次包含前處理，上光阻，軟烘，曝光，曝光后烘烤，顯影，硬烘步驟；

在前處理過程中，包含以下步驟：

步驟2.11、蒸鍍HMDS六甲基二硅氮甲烷，該HMDS覆蓋整個晶片表面；

步驟2.12、在硬掩膜氧化物薄膜層上深紫外線DUV涂布?BARC抗反射涂層；

步驟2.13、進行EBR處理，去除晶片邊緣的BARC，清邊處理后，剩余的BARC的邊緣與晶片邊緣的距離為d1；

在上光阻過程中，包含以下步驟：

步驟2.21、在BARC上涂布正光阻PR；

步驟2.22、進行EBR處理，去除晶片邊緣的光阻，清邊處理后，剩余的光阻的邊緣與晶片邊緣的距離為d2；

步驟3、溝槽硬掩膜氧化物刻蝕制程；

步驟4、溝槽硅刻蝕制程；

所述的距離d1大于距離d2。

4.如權利要求1所述的用于溝槽功率MOSFET晶片的溝槽制備方法，其特征在于，所述的距離d1的范圍為1.3～1.9mm，所述的距離d2的數值為1mm。

5.一種用于溝槽功率MOSFET晶片的溝槽光刻制程，該溝槽光刻制程依次包含前處理，上光阻，軟烘，曝光，曝光后烘烤，顯影，硬烘步驟；

其特征在于，

在前處理過程中，包含以下步驟：

步驟2.11、在硬掩膜氧化物薄膜層上深紫外線DUV涂布?BARC抗反射涂層；

步驟2.12、進行EBR清邊處理，去除晶片邊緣的BARC，清邊處理后，剩余的BARC的邊緣與晶片邊緣的距離為d1；

步驟2.13、蒸鍍HMDS六甲基二硅氮甲烷，該HMDS覆蓋整個晶片表面；

在上光阻過程中，包含以下步驟：

步驟2.21、在BARC上涂布正光阻PR；

步驟2.22、進行EBR處理，去除晶片邊緣的光阻，清邊處理后，剩余的光阻的邊緣與晶片邊緣的距離為d2；

所述的距離d1大于距離d2。

6.如權利要求5所述的用于溝槽功率MOSFET晶片的溝槽光刻制程，其特征在于，所述的距離d1的范圍為1.3～1.9mm，所述的距離d2的數值為1mm。