[發明專利]功率覆蓋結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201410094324.6
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN104051376B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: A.V.高達;S.S.喬漢;P.A.麥康奈利
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L23/373
• 分類號: H01L23/373;H01L23/14;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 肖日松;何逵游

1.一種半導體裝置封裝，包括：

介電層；

介電層上的粘合層；

半導體裝置，其具有通過所述粘合層聯接到所述介電層上的第一表面；

傳導墊片，其具有通過所述粘合層聯接到所述介電層的第一表面；

導電散熱器，其具有第一表面，所述第一表面聯接到所述半導體裝置的第二表面和所述傳導墊片的第二表面；以及

金屬化層，其聯接到所述半導體裝置的第一表面和所述傳導墊片的第一表面，所述金屬化層延伸穿過所述介電層并且通過所述傳導墊片和所述散熱器電連接到所述半導體裝置的第二表面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其特征在于，所述半導體裝置包括功率裝置。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其特征在于，所述半導體裝置的第二表面和所述傳導墊片的第二表面大致共面。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其特征在于，還包括：熱界面層，其涂布所述散熱器的第二表面，所述熱界面層包括電絕緣并且導熱的材料。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置封裝，其特征在于，所述熱界面層包括有機材料和懸浮于樹脂中的多個導電粒子中的至少一種。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置封裝，其特征在于，還包括散熱件，其聯接到所述熱界面層。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其特征在于，還包括傳導接觸層，其將所述半導體裝置和所述傳導墊片聯接到所述散熱器。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其特征在于，所述散熱器的第二表面向周圍空氣暴露用于對流傳熱。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置封裝，其特征在于，還包括包封件，其包圍所述半導體裝置和所述傳導墊片。

10.一種形成半導體裝置封裝的方法，包括：

提供介電層；

施加粘合層至所述介電層的表面；

將半導體裝置的第一表面通過所述粘合層附連到介電層；

將傳導墊片的第一表面通過所述粘合層附連到所述介電層；

將散熱器安置到所述半導體裝置的第二表面和所述傳導墊片的第二表面上，所述散熱器將所述半導體裝置電聯接到所述傳導墊片；以及

在所述介電層的第二表面上形成金屬互連結構，所述金屬互連結構延伸穿過在所述介電層中形成的通孔，以接觸所述半導體裝置的第一表面和所述傳導墊片的第一表面。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，還包括：利用聚合物材料來包封所述半導體裝置、所述傳導墊片和所述散熱器的至少一部分。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，還包括：在所述散熱器的頂表面上形成熱界面層。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，還包括：將散熱件聯接到所述熱界面層。

14.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，還包括：利用介電材料底部填充在所述介電層與所述熱界面層之間的空間。

15.一種功率覆蓋(POL)結構，包括：

絕緣基底；

功率裝置，其經由粘合層附接到所述絕緣基底上；

導電墊片，其經由所述粘合層附接到所述絕緣基底上；

導電和導熱板條，其聯接到所述功率裝置的頂表面和所述導電墊片的頂表面；以及

金屬化層，其延伸穿過所述絕緣基底，所述金屬化層電聯接到所述功率裝置的第一表面和第二表面上的接觸位置。

16.根據權利要求15所述的功率覆蓋(POL)結構，其特征在于，所述功率裝置和所述導電墊片的頂表面共面。