[發(fā)明專利]用于對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行特征分析的方法和系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410093395.4
• 申請(qǐng)日: 2014-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN104048599B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·C·莫羅;J·達(dá)默;S·C·多茲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 以操作-試驗(yàn)名義經(jīng)營(yíng)的索夫泰克系統(tǒng)配套公司
• 主分類號(hào): G01B11/00
• 分類號(hào): G01B11/00;G01B11/06;G01N21/25;G01N21/66;G01N21/88
• 代理公司: 上海一平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31266
• 代理人: 須一平;邱忠貺

1.一種對(duì)固體發(fā)光器件進(jìn)行特征分析的方法，其特征在于，包括以下步驟：

激發(fā)固體發(fā)光器件的第一發(fā)光區(qū)域；

激發(fā)固體發(fā)光器件的第二發(fā)光區(qū)域；

收集第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域所發(fā)射的光子；

獲得第一發(fā)光區(qū)域所發(fā)射的光子的第一光譜能量分布；

獲得第二發(fā)光區(qū)域所發(fā)射的光子的第二光譜能量分布；

使用處理器通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)高斯函數(shù)擬合到第一光譜能量分布和第二光譜能量分布來(lái)獲得第一光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)和第二光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)；以及

基于第一光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)和第二光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)空間關(guān)聯(lián)第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域的物理特性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

第一光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)和第二光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)包括所述一個(gè)或多個(gè)高斯函數(shù)中的一個(gè)高斯函數(shù)的光子強(qiáng)度、曲線寬度、中心波長(zhǎng)中的一個(gè)或組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在一個(gè)或多個(gè)圖中顯示第一光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)的空間分布和第二光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)的空間分布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域是固體發(fā)光器件上的晶體結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域是固體發(fā)光器件的襯底上沉積的膜的區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

固體發(fā)光器件的第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域的物理特性包括：在固體發(fā)光器件的制造過(guò)程中在襯底上生長(zhǎng)的晶體結(jié)構(gòu)或沉積的薄膜的厚度、一致性、極化、和/或缺陷密度分布中的一個(gè)或多個(gè)。

7.一種對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行特征分析的裝置，其特征在于，包括：

電源，該電源配置為連接于發(fā)光器件的第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域且對(duì)該第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域進(jìn)行激發(fā)；

傳感器，該傳感器對(duì)第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域所發(fā)射的光子感應(yīng)；

光譜儀，該光譜儀獲得由第一發(fā)光區(qū)域發(fā)射的光子的第一光譜能量分布和由第二發(fā)光區(qū)域發(fā)射的光子的第二光譜能量分布；以及

處理器，該處理器通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)高斯函數(shù)擬合到第一光譜能量分布和第二光譜能量分布獲得第一光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)和第二光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)，以及基于第一光譜能量分布的所述至少一個(gè)顏色參數(shù)和第二光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)空間關(guān)聯(lián)第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域的物理特性。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，

第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域是固體發(fā)光器件的襯底上的晶體結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，

第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域是固體發(fā)光器件的襯底上沉積的膜的區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，

第一光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)和第二光譜能量分布的至少一個(gè)顏色參數(shù)配置為最優(yōu)，從而根據(jù)估計(jì)處理使第一光譜能量分布和一個(gè)或多個(gè)高斯函數(shù)的合計(jì)之間的差異或第二光譜能量分布和一個(gè)或多個(gè)高斯函數(shù)的合計(jì)之間的差異最小化。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，

進(jìn)一步包括可移動(dòng)平臺(tái)，固體發(fā)光器件可與可移動(dòng)平臺(tái)一起移動(dòng)，其中可移動(dòng)平臺(tái)經(jīng)配置使得固體發(fā)光器件可在第一發(fā)光區(qū)域與第二發(fā)光區(qū)域之間移動(dòng)。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，

固體發(fā)光器件的第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域的物理特性包括在固體發(fā)光器件制造過(guò)程期間在襯底上生長(zhǎng)的晶體結(jié)構(gòu)或沉積的薄膜的厚度，一致性，極化和/或缺陷密度分布中的一個(gè)或多個(gè)。