[發明專利]碳電極和多晶硅棒的制造裝置

無效

• 申請號: 201410092928.7
• 申請日: 2010-10-22
• 公開（公告）號: CN103936010A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 禰津茂義;黑谷伸一;小黑曉二;久米史高;平原勝
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 戚傳江;謝麗娜

1.一種碳電極，用于多晶硅棒的制造，其特征在于，由固定在作為向硅芯線通電的通電用外部電極的金屬電極上的下部電極以及載置在該下部電極上的上部電極構成，該上部電極的上表面側設有保持所述硅芯線的芯線固定器的固定部，設于所述下部電極的上部的凸部插入設于所述上部電極的下部的凹部的內部，所述上部電極載置在所述下部電極上，所述凹部的內部尺寸比所述凸部的外部尺寸大，所述凹部與凸部之間設有間隙，

所述上部電極能夠在作為與所述下部電極的上表面的接觸面的載置面內全方位移動。

2.一種碳電極，用于多晶硅棒的制造，其特征在于，由固定在作為向硅芯線通電的通電用外部電極的金屬電極上的下部電極以及載置在該下部電極上的上部電極構成，該上部電極的上表面側設有保持所述硅芯線的芯線固定器的固定部，

設于所述上部電極的下部的凸部插入設于所述下部電極的上部的凹部的內部，所述上部電極載置在所述下部電極上，所述凹部的內部尺寸比所述凸部的外部尺寸大，所述凹部與凸部之間設有間隙，

所述上部電極能夠在作為與所述下部電極的上表面的接觸面的載置面內全方位移動。

3.根據權利要求1或2所述的碳電極，其特征在于，所述凹部與凸部之間的間隙為1mm以上。

4.根據權利要求1或2所述的碳電極，其特征在于，所述上部電極和所述下部電極為石墨制成。

5.根據權利要求1或2所述的碳電極，其特征在于，所述上部電極和所述下部電極的接觸面的靜摩擦系數為0.3以下。

6.一種多晶硅棒的制造裝置，該多晶硅棒通過從一對金屬電極向組裝成反U字形的硅芯線的兩端供電，在所述硅芯線上使多晶硅氣相生長而成，所述多晶硅棒的制造裝置的特征在于，所述硅芯線的兩端分別被設于碳電極的固定部保持，所述碳電極中的至少一方為權利要求1至5中任一項所述的碳電極。