[發(fā)明專利]自旋閥磁電阻傳感器材料結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410092923.4
• 申請(qǐng)日: 2014-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN103915563A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周仕明;劉茲偉;顧云飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鹽城彤暉磁電有限公司
• 主分類號(hào): H01L43/08
• 分類號(hào): H01L43/08;H01L43/10;G01R33/09
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種磁電子傳感器領(lǐng)域，尤其涉及一種自旋閥磁電阻傳感器材料結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

巨磁電阻材料在傳感器材料、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、磁記錄技術(shù)領(lǐng)域有巨大的潛在價(jià)值，是國(guó)際上最前沿的研究課題之一。早期人們主要利用鐵磁(FM)/反鐵磁(AFM)雙層膜系統(tǒng)，其中反鐵磁主要用釘扎作用，正是這一物理現(xiàn)象才使得磁電子學(xué)器件應(yīng)運(yùn)而生。事實(shí)上，人們也可以利用具有高矯頑力的材料來替代反鐵磁材料，其中稀土永磁尤其理想，相比于其它的高矯頑力材料，稀土薄膜制備工藝比較簡(jiǎn)單，尤為重要的是，稀土資源豐富，因此，利用稀土永磁薄膜對(duì)于稀土的開發(fā)利用意義重大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種使用成本低的自旋閥磁電阻傳感器材料結(jié)構(gòu)。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：自旋閥磁電阻傳感器材料結(jié)構(gòu)，包括：硅襯底層，設(shè)置在硅襯底層上的稀土材料(SmCo5)層，設(shè)置在稀土材料(SmCo5)層上的鐵磁/Cu/鐵磁三明治夾層。

為了更好地解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的進(jìn)一步技術(shù)方案是：所述硅襯底層和稀土材料(SmCo5)層之間設(shè)置有Cr緩沖層。

為了更好地解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的進(jìn)一步技術(shù)方案是：所述的鐵磁/Cu/鐵磁三明治夾層中的鐵磁層為鈷鎳合金。

為了更好地解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的進(jìn)一步技術(shù)方案是：所述的硅襯底層下面和所述鐵磁/Cu/鐵磁三明治夾層上面都設(shè)置有Cr防腐層。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：上述自旋閥磁電阻傳感器材料結(jié)構(gòu)，用稀土永磁材料替代傳統(tǒng)反鐵磁材料，充分利用了豐富的稀土資源，使用成本較低，同時(shí)保持較好的磁電阻效應(yīng)，在室溫附近很寬的溫度范圍內(nèi)保持磁電阻效應(yīng)基本不變。

附圖說明

圖1為本發(fā)明自旋閥磁電阻傳感器材料結(jié)構(gòu)的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、硅襯底層，2、稀土材料(SmCo5)層，3、鐵磁/Cu/鐵磁三明治夾層，4、Cr緩沖層，5、Cr防腐層。

具體實(shí)施方式：

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例詳細(xì)描述一下本發(fā)明的具體內(nèi)容。

如圖1所示，自旋閥磁電阻傳感器材料結(jié)構(gòu)，包括：硅襯底層1，設(shè)置在硅襯底層1上的稀土材料(SmCo5)層2，設(shè)置在稀土材料(SmCo5)層2上的鐵磁/Cu/鐵磁三明治夾層3。

在本實(shí)施例中，所述硅襯底層1和稀土材料(SmCo5)層2之間設(shè)置有Cr緩沖層4。所述的鐵磁/Cu/鐵磁三明治夾層3中的鐵磁層為鈷鎳合金。4、按照權(quán)利要求3所述的自旋閥磁電阻傳感器材料結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的硅襯底層1下面和所述鐵磁/Cu/鐵磁三明治夾層3上面都設(shè)置有Cr防腐層5。

上述自旋閥磁電阻傳感器材料結(jié)構(gòu)，用稀土永磁材料替代傳統(tǒng)反鐵磁材料，充分利用了豐富的稀土資源，使用成本較低，同時(shí)保持較好的磁電阻效應(yīng)，在室溫附近很寬的溫度范圍內(nèi)保持磁電阻效應(yīng)基本不變。