[發(fā)明專利]包含接觸結(jié)構(gòu)有形成于接觸蝕刻中止層之側(cè)壁上之保護(hù)層的半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410092879.7
• 申請(qǐng)日: 2014-03-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104051333B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K·弗羅貝格;M·萊佩爾;K·賴歇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/28;H01L23/48
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽(yáng)

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含：

提供包含一接觸區(qū)的一裝置結(jié)構(gòu)；

形成一電介質(zhì)蝕刻中止層于該接觸區(qū)上面；

形成一電介質(zhì)層于該蝕刻中止層上面；

蝕刻進(jìn)入該電介質(zhì)層的一開(kāi)口；

通過(guò)該開(kāi)口蝕刻該蝕刻中止層以在該開(kāi)口的底部暴露該接觸區(qū)；以及

進(jìn)行一濺鍍制程以從該接觸區(qū)移除材料以及再沉積被移除的該材料于該開(kāi)口的側(cè)壁上。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其更包括：在進(jìn)行該濺鍍制程后，進(jìn)行一濕化學(xué)清洗制程。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其更包括：用一導(dǎo)電接觸材料填充該開(kāi)口。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，在該濺鍍制程中，在該蝕刻中止層的暴露側(cè)壁上形成一保護(hù)層。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該導(dǎo)電接觸材料包含鎢。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其更包括：形成一阻障層于該保護(hù)層上。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該接觸區(qū)及該保護(hù)層包含一金屬硅化物。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該裝置結(jié)構(gòu)為一場(chǎng)效晶體管，而該接觸區(qū)設(shè)于該場(chǎng)效晶體管的源極區(qū)、漏極區(qū)及柵極電極中的至少一者中。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該蝕刻中止層包含帶應(yīng)變氮化硅。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該蝕刻中止層包含1吉帕斯卡或更多的一本征應(yīng)變。

11.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含：

形成一硅化物區(qū)；

形成一蝕刻中止層于該硅化物區(qū)上面；

形成一電介質(zhì)層于該蝕刻中止層上面；

使用該蝕刻中止層蝕刻進(jìn)入該電介質(zhì)層的一開(kāi)口；

通過(guò)該開(kāi)口蝕刻該蝕刻中止層以暴露該硅化物區(qū)；以及

進(jìn)行一重新分配制程用以再沉積從該硅化物區(qū)在該開(kāi)口的側(cè)壁處移除的硅化物材料，以至少在該蝕刻中止層的暴露側(cè)壁上形成一硅化物層。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其更包括：在進(jìn)行該重新分配制程后，進(jìn)行一濕化學(xué)清洗制程。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該重新分配制程為一濺鍍制程。

14.如權(quán)利要求11所述的方法，其更包括：用一導(dǎo)電接觸材料填充該開(kāi)口。

15.一種半導(dǎo)體裝置，包含：

一硅化物區(qū)，至少部份配置于一半導(dǎo)體層中，該硅化物區(qū)提供一接觸區(qū)；

一蝕刻中止層，配置于該半導(dǎo)體層上面；

一電介質(zhì)層，配置于該蝕刻中止層上面；

一接觸結(jié)構(gòu)，包含一導(dǎo)電接觸材料，該接觸結(jié)構(gòu)形成于該電介質(zhì)層中及該蝕刻中止層中而且延伸至該硅化物區(qū)；以及

一硅化物層，至少配置于該蝕刻中止層的一側(cè)壁與該接觸結(jié)構(gòu)之間，其中該硅化物層覆蓋該蝕刻中止層的至少全部側(cè)壁。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中該硅化物層實(shí)質(zhì)配置于開(kāi)口的下部。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中形成于該蝕刻中止層的該側(cè)壁上的該硅化物層具有1奈米或更多的厚度。

18.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中該蝕刻中止層包含一帶應(yīng)變氮化硅材料，其中該氮化硅材料包含有1吉帕斯卡或更多的一本征應(yīng)變。

19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其中該接觸結(jié)構(gòu)更包含配置于該硅化物層與該導(dǎo)電接觸材料之間的一阻障層。

20.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中該半導(dǎo)體裝置包含一場(chǎng)效晶體管，而該硅化物區(qū)為該場(chǎng)效晶體管的源極區(qū)及漏極區(qū)中的至少一者。