[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室以及等離子體加工設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410092873.X | 申請(qǐng)日: | 2014-03-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104916564B | 公開(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭宇霖;邢濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反應(yīng) 以及 等離子體 加工 設(shè)備 | ||
1.一種反應(yīng)腔室,包括設(shè)置在所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的承載裝置,以及環(huán)繞在所述反應(yīng)腔室的內(nèi)側(cè)壁上部的上內(nèi)襯,在所述上內(nèi)襯的底端設(shè)置有環(huán)繞在所述反應(yīng)腔室的內(nèi)側(cè)壁與所述承載裝置之間的環(huán)形擋板,其特征在于,在所述環(huán)形擋板上表面上均勻分布有多個(gè)貫穿其厚度的條狀通孔;
所述承載裝置包括用于承載被加工工件的卡盤及用于支撐所述卡盤的基座;在所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有基座支撐件,所述基座支撐件的一端與所述反應(yīng)腔室固定連接;所述基座支撐件的另一端與所述基座固定連接;并且在所述基座支撐件上設(shè)置有擾流板,所述擾流板覆蓋所述基座支撐件的上表面和兩個(gè)側(cè)表面,并且,所述擾流板的分別與兩個(gè)側(cè)表面相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)下端向上翹曲。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述多個(gè)條狀通孔被均勻劃分為多組環(huán)狀的通孔組,所述多組通孔組沿所述環(huán)形擋板的徑向彼此間隔且相互嵌套;
每組通孔組中的多個(gè)條狀通孔沿所述環(huán)形擋板的周向間隔設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,在相鄰的兩組通孔組中,其中一組通孔組中的相鄰兩個(gè)條狀通孔之間的間隙與對(duì)應(yīng)地其中另一組中的相鄰兩個(gè)條狀通孔之間的間隙交錯(cuò)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述條狀通孔在所述環(huán)形擋板上表面上的投影形狀為長(zhǎng)條形,且所述長(zhǎng)條形的長(zhǎng)度方向上的中心線在所述環(huán)形擋板的徑向上延伸;并且,
多個(gè)所述條狀通孔沿所述環(huán)形擋板的周向間隔設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,相鄰的兩個(gè)長(zhǎng)條形的長(zhǎng)度方向上的中心線之間的中心角為3~4°。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述長(zhǎng)條形的寬度為8~12cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,相鄰的兩個(gè)條狀通孔之間的間隙在所述環(huán)形擋板的周向上的最小寬度為1~2cm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,在每組通孔組中,相鄰的兩個(gè)條狀通孔之間的間隙的寬度為1~2cm。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,相鄰的兩組通孔組之間的間隙的寬度為1~2cm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述反應(yīng)腔室還包括下內(nèi)襯,所述下內(nèi)襯覆蓋所述反應(yīng)腔室的內(nèi)側(cè)壁下部以及反應(yīng)腔室的底部。
11.一種等離子體加工設(shè)備,其包括反應(yīng)腔室,其特征在于,所述反應(yīng)腔室采用權(quán)利要求1-10任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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