[發明專利]反式全無機納米氧化物量子點發光二極管及其制備方法

無效

• 申請號: 201410092712.0
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN103840048A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 李芝;陳靜;雷威;張曉兵
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 江蘇永衡昭輝律師事務所 32250
• 代理人: 王斌

1.反式全無機納米氧化物量子點發光二極管，包括陰極（1）、電子傳輸層（2）、量子點發光層（3）、空穴傳輸層（4）和陽極（5），其特征在于：量子點發光層（3）一端與連接著陽極（5）的空穴傳輸層（4）相接，另一端與連接著陰極（1）的電子傳輸層（2）相連；所述電子傳輸層（2）為二氧化鈦，空穴傳輸層（4）為氧化鎳。

2.如權利要求1所述的反式全無機納米氧化物量子點發光二極管，其特征在于：所述量子點發光層（3）的量子點為核殼結構，核為硫化鎘、硒化鎘、碲化鎘、硫化鉛、硒化鉛中的一種或者幾種，殼為硫化鋅、硒化鋅中的一種或幾種。

3.如權利要求1所述的反式全無機納米氧化物量子點發光二極管，其特征在于：所述量子點表面包裹有羧基、氨基、羥基、硅烷基中的一種基團。

4.如權利要求1所述的反式全無機納米氧化物量子點發光二極管的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1)????將玻璃片清洗干凈，在玻璃片上制備陰極，真空條件下，升溫到100℃并保持10分鐘，再降溫做退火固化處理；

2)????將二氧化鈦前驅溶液旋涂在陰極上制備無機電子傳輸層；

3)????采用高溫金屬分解法制備量子點，然后在電子傳輸層上制備量子點發光層；

4)????將氧化鎳制備在發光層上作為空穴傳輸層；

5)????在空穴傳輸層上制備陽極，并保持在真空條件下，升溫到100℃并保持10分鐘再降溫做退火固化處理，得到反式全無機納米氧化物量子點發光二極管。

5.如權利要求4所述的反式全無機納米氧化物量子點發光二極管的制備方法，其特征在于：步驟2）中所述二氧化鈦前驅溶液是將鈦聚合物溶解在正丁烷中，配制成質量比為5%的溶液。

6.如權利要求4所述的反式全無機納米氧化物量子點發光二極管的制備方法，其特征在于：步驟3）的量子點為核殼結構，核為硫化鎘、硒化鎘、碲化鎘、硫化鉛、硒化鉛中的一種或者幾種，殼為硫化鋅、硒化鋅中的一種或幾種。