[發明專利]表面等離子體增強的量子點發光二極管器件及其制備方法有效
| 申請號: | 201410092711.6 | 申請日: | 2014-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN103840053A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 陳靜;雷威;張曉兵 | 申請(專利權)人: | 東南大學 |
| 主分類號: | H01L33/26 | 分類號: | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司: | 江蘇永衡昭輝律師事務所 32250 | 代理人: | 王斌 |
| 地址: | 210096*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 等離子體 增強 量子 發光二極管 器件 及其 制備 方法 | ||
1.表面等離子體增強的量子點發光二極管器件,自下而上包括基底上形成的陰極(1)、空穴傳輸層(2)、發光層(3)、電子傳輸層(4)和陽極(5),其特征在于:所述發光層(3)制備于空穴傳輸層(2)之上,由金屬納米顆粒與量子點復合而成。
2.如權利要求1所述的表面等離子體增強的量子點發光二極管器件,其特征在于:金屬納米顆粒為金、銀和鉑中的一種或幾種,金屬納米顆粒大小20-100?nm。
3.如權利要求1所述的表面等離子體增強的量子點發光二極管器件,其特征在于:量子點顆粒的大小是1-10?nm。
4.如權利要求1或2或3所述的表面等離子體增強的量子點發光二極管器件,其特征在于:空穴傳輸層厚10-50?nm,發光層厚5-30?nm,電子傳輸層厚5-40?nm。
5.如權利要求4所述的表面等離子體增強的量子點發光二極管器件,其特征在于:所述電子傳輸層是ZnO/TiO2復合納米顆粒結構。
6.權利要求1所述的表面等離子體增強的量子點發光二極管器件的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
1)在透明導電玻璃基板形成的陰極上制備空穴傳輸層,并在氮氣環境下燒結0-40分鐘,燒結溫度100-200℃;
2)將量子點從油相轉過水相后,利用化學鍵與金屬納米顆粒結合,制備得到金屬納米顆粒與量子點復合而成的發光層;溶液酸堿度條件為8-10,其中量子點顆粒的大小是1-10?nm,?金屬顆粒大小20-100?nm,然后將發光層制備于空穴傳輸層之上,發光層與空穴傳輸層共同在氮氣環境下燒結0-40分鐘,燒結溫度60-200℃;
3)將電子傳輸層制備于發光層之上,然后在氧氣中燒結0-40分鐘,燒結溫度60-200?℃;
4)最后制備陽極電極,電極材料為鋁、銀、金中的一種或幾種。
7.權利要求6所述的表面等離子體增強的量子點發光二極管器件的制備方法,其特征在于:所述發光層中量子點為核殼結構,核為硫化鎘、硒化鎘、碲化鎘、硫化鉛、硒化鉛中的一種或者幾種,殼為硫化鋅、硒化鋅中的一種。
8.權利要求6所述的表面等離子體增強的量子點發光二極管器件的制備方法,其特征在于:所述電子傳輸層是ZnO/TiO2復合納米顆粒結構。
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