[發明專利]源輸送混合比可調氣路裝置有效
| 申請號: | 201410092524.8 | 申請日: | 2014-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN103882409A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 王曉亮;肖紅領;陳竑;殷海波;馮春;姜麗娟 | 申請(專利權)人: | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輸送 混合 可調 裝置 | ||
1.一種源輸送混合比可調氣路裝置,其特征在于,包括:
載氣主管路,其入口連接至載氣源;
M個氣動閥門,其出口分別連接至薄膜沉積腔室中的M個生長位置;以及
N路的源載氣混合管路,對于該N路源載氣混合管路中的每一路而言,其入口連接至載氣主管路和一種有機源氣體及針對該有機源氣體的摻雜源氣體的入口,其M個出口分別連接至所述M個氣動閥門中相應氣動閥門的入口。
2.根據權利要求1所述的源輸送混合比可調氣路裝置,其特征在于,所述N路的源載氣混合管路中的每一路源載氣混合管路包括:
補償氣體分流質量流量計,其入口連接至所述載氣主管路;
帶流量顯示的第一壓力控制器,其入口連接至所述載氣主管路,其出口連接至生長管線;
帶流量顯示的第二壓力控制器,其入口連接至所述載氣主管路,其出口連接至排空管線,該排空管線的末端通過波紋管調節閥連接至尾氣排放口;
1個輸入載氣氣體的生長/排空多路組合閥,其中央源輸入端連接至所述補償氣體質量流量計的出口;
J個輸入源氣體的生長/排空多路組合閥,其中,每一生長/排空多路組合閥的源氣體出口端連接至生長管線;其排空端通過所述波紋管調節閥連接至排空管線;其中央源輸入端分別連接至所述主有機源氣體及針對該主有機源氣體的摻雜源氣體的源頭;以及
M個分流質量流量計,其中,每一分流質量流量計的入口連接至生長管線,其出口作為該路源載氣混合管路的支路的出口。
3.根據權利要求2所述的源輸送混合比可調氣路裝置,其特征在于,還包括:
差壓計,連接于所述第一壓力控制器和第二壓力控制器的出口之間。
4.根據權利要求2所述的源輸送混合比可調氣路裝置,其特征在于,所述生長管線的每條支路均通過氣動閥門連接至尾氣排放管路。
5.根據權利要求1所述的源輸送混合比可調氣路裝置,其特征在于,所述N=2、3、4或5。
6.根據權利要求1所述的源輸送混合比可調氣路裝置,其特征在于,所述M=2、3、4或5。
7.根據權利要求1所述的源輸送混合比可調氣路裝置,其特征在于,所述J=2、3、4或5。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的源輸送混合比可調氣路裝置,其特征在于,所述氣動閥門為氣動波紋管閥或氣動隔膜閥。
9.根據權利要求1至7中任一項所述的源輸送混合比可調氣路裝置,其特征在于,所述的載氣為氫氣或氮氣,所述有機源氣體為Al源、Ga源、Fe源、In源、Mg源或硅烷源氣體。
10.根據權利要求1至7中任一項所述的源輸送混合比可調氣路裝置,其特征在于,所述薄膜沉積腔室為MOCVD腔室、PECVD腔室、CVD腔室或LPCVD腔室。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





