[發(fā)明專利]射頻微機(jī)電器件板級(jí)互連封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410091878.0
• 申請(qǐng)日: 2014-03-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103824818A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙成;陳磊;宋竟;胡經(jīng)國(guó)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L23/28
• 分類號(hào): H01L23/28;H01L21/56
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102
• 代理人: 董旭東

1.一種射頻微機(jī)電器件板級(jí)互連封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括射頻微機(jī)電器件芯片、凸點(diǎn)橋、封裝基板和密封材料，射頻微機(jī)電器件芯片底部粘接在封裝基板上，射頻微機(jī)電器件芯片上側(cè)設(shè)有芯片電極，封裝基板上設(shè)有基板電極，所述凸點(diǎn)橋包括凸點(diǎn)橋高頻基板，凸點(diǎn)橋高頻基板上制作有若干射頻傳輸線電極，各射頻傳輸線電極兩端分別設(shè)有金屬凸點(diǎn)球，凸點(diǎn)橋倒置并跨接在芯片電極與基板電極之間，使金屬凸點(diǎn)球與對(duì)應(yīng)的基板電極、芯片電極相連；所述密封材料填充在凸點(diǎn)橋高頻基板和封裝基板的邊緣間隙內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻微機(jī)電器件板級(jí)互連封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述射頻微機(jī)電器件芯片有兩個(gè)或兩個(gè)以上，相鄰射頻微機(jī)電器件芯片的芯片電極之間經(jīng)對(duì)應(yīng)的金屬凸點(diǎn)球和射頻傳輸線電極互連。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的射頻微機(jī)電器件板級(jí)互連封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述射頻傳輸線電極、芯片電極及基板電極的阻抗相匹配。

4.一種射頻微機(jī)電器件板級(jí)互連封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，包含以下步驟：

（1）在凸點(diǎn)橋高頻基板上制作射頻傳輸線電極；

（2）在各個(gè)射頻傳輸線電極兩端制作金屬凸點(diǎn)球，形成凸點(diǎn)橋；

（3）用粘片膠將射頻微機(jī)電器件芯片粘接在封裝基板上；?

（4）倒置凸點(diǎn)橋，使其射頻傳輸線電極兩端的金屬凸點(diǎn)球分別對(duì)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的芯片電極和基板電極，利用超聲熱壓使金屬凸點(diǎn)球與對(duì)應(yīng)的芯片電極、基板電極相粘接；

（5）在凸點(diǎn)橋高頻基板和封裝基板之間的邊緣間隙中填充密封材料，完成射頻微機(jī)電器件芯片的封裝。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種射頻微機(jī)電器件板級(jí)互連封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，所述密封材料為氣密性高分子材料。