[發明專利]晶圓堆棧防護密封件

在審

• 申請號: 201410091666.2
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN104051441A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: R·雷喬;陳貴忠
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/31
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種形成半導體裝置的方法，包含：

提供具有頂面及底面的第一及第二晶圓，該等晶圓包含邊緣及非邊緣區域，其中，該第一晶圓包含形成于該非邊緣區域中的數個裝置；

形成第一防護密封件于該第一晶圓的該邊緣區域；以及

接合該第一及該第二晶圓以形成裝置堆棧，其中，該防護密封件在該裝置堆棧中與該第一及該第二晶圓接觸以形成密封件，該防護密封件在后續的加工保護該等裝置。

2.如權利要求1所述的方法，其中，該防護密封件由可彎曲材料形成。

3.如權利要求1所述的方法，其中，該防護密封件為聚合物。

4.如權利要求1所述的方法，其中，該防護密封件由聚亞酰胺、聚砜、氧化鉛(II)(PbO)、或苯環丁烯(BCB)形成。

5.如權利要求1所述的方法，其中，該防護密封件用分配法形成。

6.如權利要求1所述的方法，更包括：在該第二晶圓的該邊緣區域形成另一防護密封件。

7.如權利要求6所述的方法，其中，該等防護密封件形成于該第一及該第二晶圓的頂面上。

8.如權利要求6所述的方法，其中，該第一防護密封件形成于該第一晶圓的頂面上，同時該第二防護密封件形成于該第二晶圓的底面上。

9.如權利要求1所述的方法，更包括：在該第一晶圓的該邊緣區域形成第二防護密封件，其中，該第一防護密封件為內密封件以及該第二防護密封件為外密封件。

10.如權利要求9所述的方法，其中，該第一防護密封件由金屬形成以及該第二防護密封件由聚合物形成。

11.如權利要求10所述的方法，其中，接合該第一及該第二晶圓包括第一及第二晶圓接合制程，該第一接合制程包括熱壓接合，以及該第二晶圓接合制程包含熱固化聚合物接合。

12.如權利要求1所述的方法，其中，該防護密封件由剛性材料形成。

13.如權利要求1所述的方法，更包括：在該第一晶圓的該非邊緣區域中形成數個裝置密封件，其中，該等裝置密封件包圍該半導體裝置中的該等裝置。

14.如權利要求13所述的方法，其中，該防護密封件及該等裝置密封件均由金屬材料形成。

15.如權利要求14所述的方法，更包含：

形成另一防護密封件于該第二晶圓上，以及

其中，接合該第一及第二晶圓包括接合制程，該接合制程在相同的接合制程步驟中接合該第一及該第二晶圓的該等裝置密封件及防護密封件。

16.如權利要求15所述的方法，更包括：提供多個晶圓及接合該等晶圓以形成裝置堆棧，其中，該第一防護密封件形成于該第一晶圓的頂面上，以及其它防護密封件均形成于其它晶圓的頂面及/或底面上。

17.如權利要求14所述的方法，其中，該防護密封件由銅、金、錫、它們的合金或組合形成。

18.如權利要求13所述的方法，其中，該等裝置密封件及該防護密封件在同一個沉積制程步驟中形成。

19.如權利要求1所述的晶圓堆棧，其中，該第一及該第二晶圓包括相同尺寸。

20.一種半導體晶圓堆棧，包含：

具有頂面及底面的第一及第二晶圓，該等晶圓包含邊緣及非邊緣區域，其中，該第一晶圓包含形成于該非邊緣區域中的數個裝置；以及

在該第一及該第二晶圓之間配置于該晶圓堆棧的該邊緣區域的防護密封件；其中，該防護密封件在該裝置堆棧中與該第一及該第二晶圓接觸以形成密封件，該防護密封件保護該晶圓堆棧中的該等裝置。