[發(fā)明專利]平面衍射光學(xué)元件透鏡及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410091562.1
• 申請(qǐng)日: 2014-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN104076423B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·塔姆;J·T·瓊斯;N·D·謝內(nèi)斯;A·伊馬迪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 馬克西姆綜合產(chǎn)品公司
• 主分類號(hào): G02B5/18
• 分類號(hào): G02B5/18
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 舒雄文;蹇煒

1.一種平面衍射光學(xué)元件透鏡，包括：

基底；

第一層，所述第一層形成于所述基底上；

衍射光學(xué)元件，所述衍射光學(xué)元件形成于所述第一層上；以及

由電介質(zhì)材料形成的第二層，所述第二層形成于所述第一層上，所述第二層形成于所述衍射光學(xué)元件之上，所述第二層包含平面表面，

其中，所述第二層包圍所述第一層和所述第二層之間的所述衍射光學(xué)元件，并且其中，所述第一層和所述第二層包括選擇為創(chuàng)建所述透鏡的聚焦所需的變化折射率的材料。

2.如權(quán)利要求1所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述基底是光透射的或光吸收的。

3.如權(quán)利要求1所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述基底是硅晶片。

4.如權(quán)利要求1所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述基底由石英、硼硅酸鈉玻璃、藍(lán)寶石、或熔融硅石形成。

5.如權(quán)利要求1所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述第一層由光透明材料形成。

6.如權(quán)利要求1所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述第一層由抗反射材料形成。

7.如權(quán)利要求1所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述第一層由電介質(zhì)材料形成。

8.如權(quán)利要求1所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述第一層由二氧化鈦形成。

9.如權(quán)利要求1所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述電介質(zhì)材料包括二氧化硅。

10.如權(quán)利要求1所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述平面表面是空氣界面表面。

11.一種平面衍射光學(xué)元件透鏡，包括：

光透射基底；

第一層，所述第一層形成于所述基底上，所述第一層由光透明材料形成；

衍射光學(xué)元件，所述衍射光學(xué)元件形成于所述第一層上；以及

由電介質(zhì)材料形成的第二層，所述第二層形成于所述第一層上，所述第二層形成于所述衍射光學(xué)元件之上，所述第二層包含平面表面，所述平面表面是空氣界面表面，

其中，所述第二層包圍所述第一層和所述第二層之間的所述衍射光學(xué)元件，并且其中，所述第一層和所述第二層包括選擇為創(chuàng)建所述透鏡的聚焦所需的變化折射率的材料。

12.如權(quán)利要求11所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述基底是硅晶片。

13.如權(quán)利要求11所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述第一層由抗反射材料形成。

14.如權(quán)利要求11所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述第一層由電介質(zhì)材料形成。

15.如權(quán)利要求11所述的平面衍射光學(xué)元件透鏡，其中，所述第一層由二氧化鈦形成。

16.一種用于制造平面衍射光學(xué)元件透鏡的方法，所述方法包括：

提供基底；

在所述基底上沉積第一層；

在所述第一層上形成衍射光學(xué)元件；

在所述第一層上和所述衍射光學(xué)元件之上沉積由電介質(zhì)材料形成的第二層；以及

對(duì)所述第二層的表面進(jìn)行平面化，所述第一層和所述第二層包括選擇為創(chuàng)建所述透鏡的聚焦所需的變化折射率的材料。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，在所述第一層上形成所述衍射光學(xué)元件包括：

在所述第一層上形成多個(gè)衍射光學(xué)元件層。