[發明專利]用于信號丟失檢測的裝置和方法有效
| 申請號: | 201410091524.6 | 申請日: | 2014-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN104052440B | 公開(公告)日: | 2019-09-10 |
| 發明(設計)人: | A·Y·王;S·I·德阿奎諾 | 申請(專利權)人: | 美國亞德諾半導體公司 |
| 主分類號: | H03K5/19 | 分類號: | H03K5/19 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 劉倜 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 信號 丟失 檢測 裝置 方法 | ||
1.一種裝置,包括:
檢測電路,其配置為監控輸入,其中所述檢測電路包括:
第一增益電路,其與所述輸入可操作地耦合且配置為提供從輸入到輸出的增益以產生放大信號,其中所述第一增益電路配置為對于小于第一電平的輸入信號電平至少提供第一增益量,其中所述第一增益電路配置為對于高于第二電平的輸入電平飽和以自所述第一增益量減小增益而無外部增益控制調節,其中所述第二電平高于所述第一電平;
第一整流器電路,其配置為對所述放大信號進行整流以產生整流信號;
第一低通濾波器,其配置為對所述整流信號進行濾波以產生濾波信號;以及
一個或多個比較器,其配置為對所述濾波信號進行評估以判定在所述輸入處差分信號的存在或不存在。
2.如權利要求1所述的裝置,其中所述一個或多個比較器包括:
第一比較器,其包括配置為接收所述濾波信號的第一輸入以及配置為接收有效決策閾值電壓的第二輸入;以及
第二比較器,其包括配置為接收所述濾波信號的第一輸入以及配置為接收無效決策閾值電壓的第二輸入,其中所述有效決策閾值電壓低于所述無效決策閾值電壓。
3.如權利要求2所述的裝置,其中所述檢測電路還包括:
多路復用器,其包括與所述第一比較器的輸出電連接的第一輸入、與所述第二比較器的輸出電連接的第二輸入、控制輸入以及與所述控制輸入電連接的輸出;以及
計數器,其中所述計數器配置為對在所述多路復用器的所述輸出的狀態下對順序事件的數量進行計數,并且基于結果來產生檢測信號。
4.如權利要求3所述的裝置,其中所述計數器包括可數字配置計數值。
5.如權利要求2所述的裝置,其中所述檢測電路還包括:
數字模擬轉換器(DAC);
第二增益電路;
第二整流器電路;
第二低通濾波器,其中所述第二增益電路、所述第二整流器電路和所述第二低通濾波器連接在所述DAC的第一輸出和所述第一比較器的所述第二輸出之間的第一電路徑中;
第三增益電路;
第三整流器電路;以及
第三低通濾波器,其中所述第三增益電路、所述第三整流器電路和所述第三低通濾波器連接在所述DAC的第二輸出和所述第二比較器的所述第二輸出之間的第二電路徑中,
其中所述DAC配置為基于第一數字控制信號來控制所述有效決策閾值電壓的電壓電平,并且其中所述DAC還配置為基于第二數字控制信號來控制所述無效決策閾值電壓的電壓電平。
6.如權利要求1所述的裝置,其中所述第一增益電路包括:
第一雙極晶體管,其具有發射極、基極和集電極;
第二雙極晶體管,其具有發射極、基極和集電極,其中所述第二雙極晶體管的所述發射極與所述第一雙極晶體管的所述發射極電連接,并且其中所述第二雙極晶體管的所述集電極與所述第一雙極晶體管的所述基極電連接,并且其中所述第二雙極晶體管的所述基極與所述第一雙極晶體管的所述集電極電連接;
第一晶體管,其電連接在第一輸入端子和所述第一雙極晶體管的所述集電極之間;
第二晶體管,其電連接在第二輸入端子和所述第二雙極晶體管的所述集電極之間;以及
電流源,其配置為向所述第一和第二雙極晶體管的所述發射極提供偏壓電流,
其中所述第一增益電路配置為在所述第一端子和第二端子之間接收所述差分信號。
7.如權利要求1所述的裝置,其中所述第一增益電路包括:
第一金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,其具有源極、柵極和漏極;
第二MOS晶體管,其具有源極、柵極和漏極,其中所述第二MOS晶體管的所述源極與所述第一MOS晶體管的所述源極電連接,并且其中所述第二MOS晶體管的所述漏極與所述第一MOS晶體管的所述柵極電連接,并且其中所述第二MOS晶體管的所述柵極與所述第一MOS晶體管的所述漏極電連接;
第一電阻器,其電連接在第一輸入端子和所述第一MOS晶體管的所述漏極之間;
第二電阻器,其電連接在第二輸入端子和所述第二MOS晶體管的所述漏極之間;以及
電流源,其配置為向所述第一和第二MOS晶體管的所述源極提供偏壓電流,
其中所述第一增益電路配置為在所述第一端子和第二端子之間接收所述差分信號。
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