[發明專利]半導體封裝有效
申請號: | 201410091379.1 | 申請日: | 2014-03-12 |
公開(公告)號: | CN104051450B | 公開(公告)日: | 2017-08-01 |
發明(設計)人: | 張圣明;謝東憲;陳南誠 | 申請(專利權)人: | 聯發科技股份有限公司 |
主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L25/00 |
代理公司: | 北京萬慧達知識產權代理有限公司11111 | 代理人: | 張金芝,楊穎 |
地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 | ||
1.一種半導體封裝,其特征在于,包括:第一半導體封裝和第二半導體封裝,所述第一半導體封裝包括:
第一基底,具有第一元件貼附面和相對于所述第一元件貼附面的第一凸塊貼附面;以及
所述第二半導體封裝,接合至所述第一半導體封裝的所述第一元件貼附面,其中所述第二半導體封裝包括:
第二基底,具有第二元件貼附面和相對于所述第二元件貼附面的第二凸塊貼附面;
動態隨機存取存儲器元件,固接在所述第二元件貼附面上;
去耦合電容,固接在所述第二基底的所述第二元件貼附面上的虛設焊墊和虛設電路上,并耦接至所述第一半導體封裝;以及
多個導電結構,設置在所述第二凸塊貼附面上,且連接至所述第一半導體封裝的所述第一基底的所述第一元件貼附面。
2.如權利要求1所述的半導體封裝,其特征在于,在俯視圖中,所述第一基底的邊界與所述第二基底的邊界完全重疊。
3.如權利要求1所述的半導體封裝,其特征在于,所述第一半導體封裝還包括邏輯元件,固接于所述第一基底的所述第一元件貼附面。
4.如權利要求3所述的半導體封裝,其特征在于,還包括:
基座,其中所述第一半導體封裝和所述第二半導體封裝通過所述第一半導體封裝的第一導電結構固接于所述基座上;以及
外部電源,設置于所述基座上,且與所述第一半導體封裝和所述第二半導體封裝隔開。
5.如權利要求4所述的半導體封裝,其特征在于,所述去耦合電容耦接至所述邏輯元件和所述外部電源兩者。
6.如權利要求4所述的半導體封裝,其特征在于,所述去耦合電容耦接至所述動態隨機存取存儲器元件、與所述邏輯元件整合的動態隨機存取存儲器控制器和所述外部電源。
7.如權利要求1所述的半導體封裝,其特征在于,所述動態隨機存取存儲器元件和所述去耦合電容彼此隔開。
8.如權利要求1所述的半導體封裝,其特征在于,所述動態隨機存取存儲器元件和所述去耦合電容分別通過設置在所述第二凸塊貼附面的不同的所述多個導電結構耦接至所述第一半導體封裝。
9.如權利要求1所述的半導體封裝,其特征在于,所述第二半導體封裝還包括額外動態隨機存取存儲器元件,垂直堆疊于所述動態隨機存取存儲器元件上,且電性連接至所述第二基底。
10.一種半導體封裝,其特征在于,包括:
基座;
動態隨機存取存儲器封裝,接合至所述基座;以及
外部電源,設置于所述基座上,且與所述動態隨機存取存儲器封裝隔開;
其中所述動態隨機存取存儲器封裝包括:
基底;
動態隨機存取存儲器元件,固接在所述基底上;以及
去耦合電容,固接在所述基底上的虛設焊墊和虛設電路上,并耦接至所述半導體封裝上的邏輯封裝,且與所述動態隨機存取存儲器元件隔開。
11.如權利要求10所述的半導體封裝,其特征在于,
所述邏輯封裝,位于所述動態隨機存取存儲器封裝與所述基座之間,其中所述邏輯封裝包括:
第一基底,具有第一元件貼附面和相對于所述第一元件貼附面的第一凸塊貼附面;
邏輯元件,固接于所述第一基底的所述第一元件貼附面;以及
多個第一導電結構,設置于所述第一凸塊貼附面上,且接觸所述基座。
12.如權利要求11所述的半導體封裝,其特征在于,所述動態隨機存取存儲器封裝通過設置于所述動態隨機存取存儲器封裝的所述基底的第二凸塊貼附面的多個第二導電結構接合至所述第一元件貼附面,且接觸所述第一元件貼附面。
13.如權利要求12所述的半導體封裝,其特征在于,所述動態隨機存取存儲器封裝的所述基底具有相對于所述第二凸塊貼附面的第二元件貼附面,且其中所述動態隨機存取存儲器元件固接在所述第二元件貼附面上。
14.如權利要求12所述的半導體封裝,其特征在于,所述動態隨機存取存儲器元件和所述去耦合電容分別通過設置在所述第二凸塊貼附面的不同的所述多個第二導電結構耦接至所述邏輯封裝。
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