[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)能選擇吸收復(fù)合涂層及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410091209.3
• 申請(qǐng)日: 2014-06-11
• 公開（公告）號(hào): CN103954059A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃林沖;操振華;石俊;魏明真;孟祥康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇奧藍(lán)工程玻璃有限公司;南京大學(xué)
• 主分類號(hào): F24J2/48
• 分類號(hào): F24J2/48;B32B9/00;C23C14/58;C23C14/35
• 代理公司: 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

1.一種太陽(yáng)能選擇吸收復(fù)合涂層，依次包括底層金屬片、熱擴(kuò)散阻擋層、吸收層和減反射層，其特征在于：所述熱擴(kuò)散阻擋層為Ta納米層，吸收層為AlN-Ag納米層，減反射層為AlN納米層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能選擇吸收復(fù)合涂層，其特征在于：所述熱擴(kuò)散阻擋層Ta納米層的厚度為8～10nm，吸收層AlN-Ag納米層的總厚度為105nm，減反射層AlN納米層的厚度為60nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽(yáng)能選擇吸收復(fù)合涂層，其特征在于：所述吸收層為單層吸收層或多層梯度吸收層；所述單層吸收層為AlN-Ag單層納米膜；所述多層梯度吸收層包含有3～6個(gè)周期膜層，以AlN-Ag為一個(gè)周期膜層，AlN層和Ag層為每一個(gè)周期膜層中的兩個(gè)亞層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能選擇吸收復(fù)合涂層，其特征在于：所述多個(gè)梯度吸收層的梯度為AlN層厚度由底層向表面方向逐漸增加，Ag層厚度不變。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能選擇吸收復(fù)合涂層，其特征在于：所述底層金屬片為Cu片。

6.一種權(quán)利要求1所述太陽(yáng)能選擇吸收復(fù)合涂層的制備方法，包括底層金屬片預(yù)處理、沉積吸收復(fù)合涂層和退火處理工序，其特征在于：所述沉積吸收復(fù)合涂層工序?yàn)椴捎萌惺覝刂绷鞔趴貫R射法，以純度99.9～99.99wt%的金屬Al、99.95～99.99wt%的金屬Ag和99.9～99.99wt%的金屬Ta為濺射靶材沉積吸收涂層；所述的退火處理工序?yàn)椴捎秒妶?chǎng)對(duì)沉積結(jié)束的吸收涂層進(jìn)行退火處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能選擇吸收復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于：所述三靶室溫直流磁控濺射法具體步驟如下：

（1）先抽本底真空至5.5′10^-5Pa，然后通入高純Ar氣，設(shè)置流量為20sccm，通過閘板閥調(diào)節(jié)真空室真空度為4.0Pa，開始進(jìn)行20～30min的預(yù)濺射，預(yù)濺射之后，再將真空度調(diào)至1.2～1.5Pa工作壓力；?

（2）沉積熱擴(kuò)散阻擋層金屬非晶Ta膜：設(shè)置功率為150W，控制膜厚為8～10nm，其中底層金屬片溫度為室溫；

（3）沉積吸收層：對(duì)于單層吸收層AlN-Ag，通入N₂，設(shè)置流量為10sccm，N與Al進(jìn)行反應(yīng)濺射沉積AlN，沉積功率為200W，同時(shí)沉積金屬Ag，沉積功率為15W，控制單層厚度為105nm；對(duì)于多層吸收層，以AlN-Ag為一個(gè)沉積周期，設(shè)置周期值，按照單層吸收層沉積方法依次沉積AlN層和Ag層，其中周期逐漸增加，AlN層厚度也逐漸增加，Ag層厚度不變，控制多層總厚度為105nm；?

（4）沉積一層厚度為60?nm的AlN減反射層，沉積功率為200W。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能選擇吸收復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于：所述電場(chǎng)退火處理的方法為設(shè)置電場(chǎng)的溫度為250?°C，電場(chǎng)強(qiáng)度為3kV/cm，將樣品放置在電場(chǎng)中保溫1～1.3h。