[發(fā)明專利]3D光柵盒及其制作方法、彩膜基板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410090960.1 | 申請日： | 2014-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN103885191A | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃小妹 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B27/22 | 分類號： | G02B27/22;H01L31/06 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光柵 及其 制作方法 彩膜基板 顯示裝置 | ||
1.一種3D光柵盒，其特征在于，包括：
透明電極；
設置于所述透明電極下方的光電轉(zhuǎn)換元件，所述光電轉(zhuǎn)換元件連接于所述透明電極；
設置于所述光電轉(zhuǎn)換元件下方的光柵電極，所述光柵電極連接于所述光電轉(zhuǎn)換元件，所述光柵電極包括多個并列且間隔設置的不透明的條狀導體；
蓄電池，所述蓄電池的一端連接于所述透明電極，所述蓄電池的另一端連接于所述光柵電極；
設置于所述光柵電極下方的基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D光柵盒，其特征在于，
所述光電轉(zhuǎn)換元件為半導體器件，所述半導體器件的上部為P型半導體，所述半導體器件的下部為N型半導體，所述P型半導體和N型半導體之間形成PN結(jié)，所述P型半導體連接于所述透明電極，所述N型半導體連接于所述光柵電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的3D光柵盒，其特征在于，
所述透明電極的材料為氧化銦錫。
4.一種彩膜基板，其特征在于，包括：
如權(quán)利要求1至3中任意一項所述的3D光柵盒；
設置于所述3D光柵盒中所述基板下方的彩膜。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利4所述的彩膜基板。
6.一種3D光柵盒的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成光柵電極，所述光柵電極包括多個并列且間隔設置的不透明的條狀導體；
在包括所述光柵電極的基板上形成光電轉(zhuǎn)換元件，所述光電轉(zhuǎn)換元件連接于所述光柵電極；
在包括所述光電轉(zhuǎn)換元件的基板上形成透明電極，所述透明電極連接于所述光電轉(zhuǎn)換元件；
形成蓄電池，所述蓄電池的一端連接于所述光柵電極，所述蓄電池的另一端連接于所述透明電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光柵盒的制作方法，其特征在于，
所述在包括所述光柵電極的基板上形成光電轉(zhuǎn)換元件的過程包括：
形成半導體器件，對所述半導體器件進行摻雜，使所述半導體器件的上部形成P型半導體，所述半導體器件的下部形成N型半導體，所述P型半導體和N型半導體之間形成PN結(jié)，所述P型半導體連接于所述透明電極，所述N型半導體連接于所述光柵電極。
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