[發明專利]電子部件用金屬薄膜以及金屬薄膜形成用Mo合金濺射靶材有效
| 申請號： | 201410090923.0 | 申請日： | 2014-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN104046947A | 公開（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發明（設計）人： | 村田英夫 | 申請（專利權）人： | 日立金屬株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/14;C22C27/04;C22C30/00 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 部件 金屬 薄膜 以及 形成 mo 合金 濺射 | ||
【權利要求書】：
1.一種電子部件用金屬薄膜，其特征在于，原子比的組成式表示為Mo100-x-y-Nix-Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x＋y≤65，余量由無法避免的雜質組成。
2.根據權利要求1所述的電子部件用金屬薄膜，其特征在于，所述組成式的x、y分別為20≤x≤35、15≤y≤30。
3.一種金屬薄膜形成用Mo合金濺射靶材，其特征在于，該濺射靶材是用于形成權利要求1所述的電子部件用金屬薄膜的Mo合金濺射靶材，原子比的組成式表示為Mo100-x-y-Nix-Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x＋y≤65，余量由無法避免的雜質組成。
4.根據權利要求3所述的金屬薄膜形成用Mo合金濺射靶材，其特征在于，所述組成式的x、y分別為20≤x≤35、15≤y≤30。
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