[發明專利]引線接合裝置和方法無效
| 申請號: | 201410090701.9 | 申請日: | 2014-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN104051289A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發明(設計)人: | 葉嘉琳;區彥敬;尤寶琳;梁杏茵;莫德·魯斯利·易卜拉欣;納瓦斯·可汗·奧拉蒂·卡蘭達爾;莫德·費扎爾·祖爾-基弗里 | 申請(專利權)人: | 飛思卡爾半導體公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 陳依虹;劉光明 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 引線 接合 裝置 方法 | ||
1.一種制作電連接的方法,包括:
通過包括引線拋光器和引線接合工具的引線接合系統傳送接合線;
使用所述引線拋光器從所述接合線的至少第一部分移除污染物;
通過將所述接合線的所述第一部分引線接合到第一觸點來形成第一接合,使得所述接合線和所述第一觸點被電連接;以及
通過將所述接合線的第二部分引線接合到第二觸點來形成第二接合,使得所述第一觸點和所述第二觸點被電連接。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述污染物移除步驟包括:將所述拋光器件的研磨面與所述接合線的至少所述第一部分的外表面接觸。
3.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:從所述接合線的所述第二部分移除污染物。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述污染物是通過將所述拋光器件的研磨面與所述接合線的所述第二部分的外表面接觸而從所述接合線的所述第二部分移除的。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述污染物是通過將所述拋光器件的研磨面與所述接合線的外表面接觸而基本上從所述接合線的整個表面移除的。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述接合線是無涂層的金屬線。
7.根據權利要求6所述的方法,其中所述接合線是裸銅線。
8.根據權利要求7所述的方法,其中所移除的污染包括銅氧化物。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一接合是球形接合,并且所述第二接合是針腳式接合。
10.一種引線接合系統,包括:
接合送絲器,一卷接合線能夠耦合到所述接合送絲器;
引線接合工具;以及
引線拋光器,所述引線拋光器被放置在所述接合送絲器和所述引線接合工具之間,所述引線拋光器被配置成從所述接合線移除污染物。
11.根據權利要求10所述的引線接合系統,其中所述引線拋光器是具有至少一個研磨面的微型拋光器。
12.根據權利要求11所述的引線接合系統,進一步包括靠近所述引線拋光器的真空器件,所述真空器件疏散了從所述引線接合系統移除的污染物的顆粒。
13.根據權利要求12所述的引線接合系統,其中所述引線接合工具包括毛細管和電子火焰熄滅器件。
14.根據權利要求10的所述的引線接合系統,進一步包括:空氣引導件和引線拉緊器中的至少一個。
15.一種將第一器件電連接到第二器件的方法,包括:
通過引線接合系統傳送絕緣引線,所述絕緣引線具有金屬芯和覆蓋所述金屬芯的絕緣材料;
標識所述絕緣引線的第一部分以用于形成第一接合,并且標識所述絕緣引線的第二部分以用于形成第二接合;
使用剝線器從所述絕緣引線的所述第一部分和第二部分移除絕緣材料,以暴露所述金屬芯的至少所述第一部分和第二部分;
通過將所述絕緣引線的所述第一部分的所暴露的金屬芯引線接合到所述第一器件的第一焊盤來形成第一接合,使得所述絕緣引線和所述第一器件被電連接;以及
通過將所述絕緣引線的所述第二部分的所暴露的金屬芯引線接合到所述第二器件的第二焊盤來形成第二接合,使得所述第一器件和所述第二器件被電連接。
16.根據權利要求15所述的方法,其中所述剝線器是微型剪刀和洗滌器中的一個。
17.根據權利要求15所述的方法,進一步包括:使用所述剝線器從所述絕緣引線的所述第一部分移除絕緣材料。
18.一種用于接合絕緣引線的引線接合系統,所述絕緣引線具有金屬芯和覆蓋所述金屬芯的絕緣材料,所述系統包括:
剝線器,一卷絕緣引線能夠耦合到所述剝線器,其中所述剝線器被配置成接收所述絕緣引線并且從所述絕緣引線選擇性地移除所述絕緣材料的部分;以及
引線接合工具,所述引線接合工具接收已經從所述剝線器移除所述絕緣材料的所選擇的部分的所述絕緣引線。
19.根據權利要求18的引線接合系統,其中所述剝線器是微型剪刀和洗滌器中的一個。
20.根據權利要求18所述的引線接合系統,其中所述引線接合工具包括毛細管和電子火焰熄滅器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





