[發明專利]集成電路中的電容器及其制造方法有效
| 申請號: | 201410090637.4 | 申請日: | 2014-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN104051233B | 公開(公告)日: | 2017-10-13 |
| 發明(設計)人: | M·勒納;S·阿里蘇 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人: | 王茂華 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 中的 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造電容器陣列的方法,所述方法包括:
形成包括串聯耦合的第一電容器元件和第二電容器元件的第一列;以及
形成包括串聯耦合的第三電容器元件和第四電容器元件的第二列,其中所述第一列與所述第二列并聯耦合,其中所述第二電容器元件被放置在金屬化層內的所述第一電容器元件和所述第四電容器元件之間,其中所述第四電容器元件被放置在所述金屬化層內的所述第二電容器元件和所述第三電容器元件之間;
所述第一電容器元件包括第一板和第二板;
所述第二電容器元件包括第三板和第四板;
所述第一板通過第一電阻器耦合至所述第二板;以及
所述第三板通過第二電阻器耦合至所述第四板。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述第二板和所述第三板包括公共的金屬線。
3.根據權利要求2所述的方法,其中所述公共的金屬線是浮動的。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述電容器陣列包括放置在工件上方的所述第一電容器元件和所述第二電容器元件下方的多晶硅線,其中所述第一電阻器包括所述多晶硅線的第一部分,并且其中所述第二電阻器包括所述多晶硅線的第二部分。
5.一種制造裝置的方法,所述方法包括:
提供包括具有第一電容量和第一面積的單個電容器的第一電路設計;
通過用電容器陣列替換所述單個電容器而產生第二電路設計,所述電容器陣列包括:
多個列,所述多個列包括串聯的電容器元件,所述多個列并聯耦合以形成多個行,其中所述多個列中的每個電容器元件的電容量具有的值等于或小于所述第一電容量的值,其中所述多個列中的每個電容器元件具有的面積小于所述第一面積;以及
用包括在工件上方的金屬化層中的所述電容器陣列的所述第二電路設計來制造電路。
6.根據權利要求5所述的方法,其中所述多個行中的行的數目與所述多個列中列的數目相同。
7.根據權利要求5所述的方法,其中所述電容器陣列是豎直平行板電容器陣列。
8.根據權利要求5所述的方法,其中所述電容器陣列的總面積等于所述單個電容器的總面積。
9.根據權利要求5所述的方法,其中所述第一電路設計包括耦合至所述單個電容器的其它電路系統,并且其中所述第二電路設計包括以與所述單個電容器相同的方式耦合至所述電容器陣列的其它電路系統。
10.一種制造裝置的方法,所述方法包括:
提供包括具有第一電容量的單個電容器的第一電路設計;
通過用電容器陣列替換所述單個電容器而產生第二電路設計,所述電容器陣列包括:
多個列,所述多個列包括串聯的電容器元件,所述多個列并聯耦合以形成多個行,其中所述多個列中的每個電容器元件的電容量具有所述第一電容量乘以換算系數的值,其中所述換算系數是所述多個列中的一列中的元件的總數量除以所述多個行的一行中的元件的總數量;以及
用包括工件上方的金屬化層中的所述電容器陣列的所述第二電路設計來制造電路。
11.根據權利要求10所述的方法,其中所述單個電容器具有第一面積,并且其中所述多個列中的每個電容器元件具有的面積小于所述第一面積。
12.根據權利要求11所述的方法,其中所述電容器陣列的總面積等于所述單個電容器的總面積。
13.根據權利要求10所述的方法,其中所述電容器陣列是豎直平行板電容器陣列。
14.根據權利要求10所述的方法,其中所述第一電路設計包括耦合至所述單個電容器的其它電路系統,并且其中所述第二電路設計包括以與所述單個電容器相同的方式耦合至所述電容器陣列的其它電路系統。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





