[發明專利]等離子體室部件上的抗腐蝕鋁涂層

有效

• 申請號: 201410090592.0
• 申請日: 2014-03-12
• 公開（公告）號: CN104046981B
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發明（設計）人: 約翰·多爾蒂;石洪;許臨;安東尼·阿瑪多;羅伯特·G·奧尼爾;彼得·霍蘭;西瓦克米·拉馬納坦;金太旺;杜安·烏特卡;約翰·邁克爾·克恩斯;索尼婭·卡斯蒂落
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C24/08
• 分類號: C23C24/08;C25D11/04;C23C16/513;H01L21/3065
• 代理公司: 31263 上海勝康律師事務所
• 代理人: 李獻忠

1.一種等離子體處理室的鋁涂層部件，所述部件包括：

具有表面的基底；和

在所述基底的所述表面的至少一部分上的冷噴涂的鋁涂層；

其中所述冷噴涂的鋁涂層包含通過顆粒的塑形變形鍵合到所述表面的鋁粉材料顆粒；以及

其中

所述冷噴涂的鋁涂層包括100ppm或更少的Mn、Si、Ni、Cr、Cu、V、Fe、Mg、Zn、Ti、B、Pb、Zr、Bi、Sn和Ca中的每一者；

所述冷噴涂的鋁涂層具有10微英寸至20微英寸的表面粗糙度Ra；以及

所述冷噴涂的鋁涂層具有至少15密耳的厚度并建立雜質或氣體彌散屏障。

2.如權利要求1所述的部件，其還包括在所述冷噴涂的鋁涂層的至少一部分上的陽極化涂層。

3.如權利要求1所述的部件，其中所述冷噴涂的鋁涂層具有215密耳至250密耳的厚度。

4.如權利要求1所述的部件，其中所述冷噴涂的鋁涂層包括至少99.7wt.％的Al且所述基底包括AL6061-T6。

5.如權利要求1所述的部件，其中所述部件選自由室襯、靜電卡盤、聚焦環、室壁、邊緣環、等離子體約束環、基底支撐件、擋板、氣體分配板、氣體分配環、氣體噴嘴、加熱元件、等離子體屏、輸送機構、氣體供應系統、升降機構、加載鎖、門機構、機械臂和緊固件組成的組。

6.如權利要求2所述的部件，其中所述陽極化涂層具有至少1.2kV的擊穿電壓和/或所述部件在HCl氣泡測試中在至少5小時內不產生氫氣氣泡。

7.如權利要求2所述的部件，其中所述冷噴涂的鋁涂層的厚度是所述陽極化涂層的厚度的至少兩倍。

8.一種等離子體處理室的鋁涂層部件，所述部件包括：

具有表面的基底；和

在所述基底的所述表面的至少一部分上的冷噴涂的鋁涂層，所述冷噴涂的鋁涂層具有10微英寸至20微英寸的表面粗糙度Ra，其中所述冷噴涂的鋁涂層包含通過顆粒的塑形變形鍵合到所述表面的鋁粉材料顆粒；和

在所述冷噴涂的鋁涂層的至少一部分上的陽極化涂層；

其中

所述冷噴涂的鋁涂層包括100ppm或更少的Mn、Si、Ni、Cr、Cu、V、Fe、Mg、Zn、Ti、B、Pb、Zr、Bi、Sn和Ca中的每一者；以及

所述冷噴涂的鋁涂層具有至少15密耳的厚度并建立雜質或氣體彌散屏障。

9.如權利要求8所述的部件，其中所述冷噴涂的鋁涂層包括至少99.7wt.％的Al且所述基底包括AL6061-T6。

10.如權利要求8所述的部件，其中所述陽極化涂層具有至少0.6kV的擊穿電壓和/或所述部件在HCl氣泡測試中在至少5小時內不產生氫氣氣泡。

11.一種在包括根據權利要求1所述的部件的等離子體處理室中等離子體處理半導體基底的方法，所述方法包括：

從工藝氣體源供應至少一種工藝氣體到所述等離子體處理室中；

利用射頻(RF)能量源將RF能量施加到所述工藝氣體以在所述等離子體處理室中產生等離子體；以及

在所述等離子體處理室中等離子體處理基底上的半導體材料、絕緣體或金屬材料。

12.如權利要求11所述的方法，其中所述等離子體處理包括蝕刻工藝、清洗工藝、沉積工藝、抗蝕劑剝離工藝或脫氣工藝。

13.如權利要求11所述的方法，其中所述供應至少一種工藝氣體包括供應Cl₂、HCl、BCl₃、Br₂、HBr、O₂、H₂O、SO₂、CF₄、CH₂F₂、NF₃、CH₃F、C₂F₆、CHF₃和SF₆中的至少一者。