[發(fā)明專利]一種Mg2Si增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料連接方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410088687.9 | 申請日： | 2014-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN103862160A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 谷曉燕;孫大千;谷曉鵬;王慧遠(yuǎn) | 申請（專利權(quán)）人： | 吉林大學(xué) |
| 主分類號： | B23K20/00 | 分類號： | B23K20/00;B23K20/24;B23K20/233 |
| 代理公司： | 長春吉大專利代理有限責(zé)任公司 22201 | 代理人： | 齊安全;胡景陽 |
| 地址： | 130012 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mg sub si 增強(qiáng) 復(fù)合材料 連接 方法 | ||
1.一種Mg2Si增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料連接方法，其特征在于，包括以下步驟：
1）將Mg2Si增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料兩待連接件表面用砂紙打磨，去除表面的氧化膜；按照待連接件表面尺寸，分別制作純Cu、純Al或純Ni作為中間層，在砂紙上打磨中間層，去除表面的氧化膜；
2）對打磨后的Mg2Si增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料兩待連接件和中間層進(jìn)行清洗，除去表面的油污和雜質(zhì)；
3）將中間層置于Mg2Si增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料兩待連接件之間，在連接件兩側(cè)施加恒定的連接壓力，使用真空爐進(jìn)行加熱；
4）純Cu作為中間層,在真空爐中加熱到490-520℃連接溫度后保溫10-30min，然后隨真空爐冷卻到室溫；純Al作為中間層,在真空爐中加熱到460-480℃連接溫度后保溫10-30min，然后隨真空爐冷卻到室溫；純Ni作為中間層,在真空爐中加熱到520-540℃連接溫度后保溫10-30min，然后隨真空爐冷卻到室溫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Mg2Si增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料連接方法，其特征在于：
所述加熱到490-520℃連接溫度、460-480℃連接溫度、520-540℃連接溫度的平均升溫速度皆為5-20℃/min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Mg2Si增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料連接方法，其特征在于：
所述的連接壓力為1-3MPa，所述真空爐的真空度為1×10-3Pa-8×10-3Pa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Mg2Si增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料連接方法，其特征在于：所述純Cu作為中間層，加熱到的連接溫度為510℃，保溫30min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Mg2Si增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料連接方法，其特征在于：所述純Al作為中間層，加熱到的連接溫度為460℃，保溫20min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Mg2Si增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料連接方法，其特征在于：所述純Ni作為中間層，加熱到的連接溫度為540℃，保溫30min。
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