[發明專利]一種La2Zr2O7過渡層梯度薄膜結構、制備及應用有效
| 申請號: | 201410088329.8 | 申請日: | 2014-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN103922738A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | 索紅莉;任程;劉敏;儀寧;田輝;徐燕 | 申請(專利權)人: | 北京工業大學 |
| 主分類號: | C04B35/50 | 分類號: | C04B35/50;C04B35/622;B05D1/38;B05D7/14 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人: | 張慧 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 la sub zr 過渡 梯度 薄膜 結構 制備 應用 | ||
1.一種La2Zr2O7單一過渡層梯度薄膜,其特征在于,該單一過渡層梯度薄膜有兩層結構,每層通過摻雜大小不同的離子半徑的元素來改變La2Zr2O7的晶格常數,下層為離子半徑較小的Ti4+摻雜形成的La2Zr2-xTixO7薄膜,其中0.2≤x≤1.8,降低了La2Zr2O7的晶格參數;上層是離子半徑較大的Y3+摻雜形成的La2Zr2-yYyO7薄膜,0.2≤y≤1.8,增大了La2Zr2O7的晶格參數。
2.按照權利要求1的一種La2Zr2O7單一過渡層梯度薄膜,其特征在于,0.8≤x≤1.5,0.5≤y≤1.2。
3.按照權利要求1的一種La2Zr2O7單一過渡層梯度薄膜,其特征在于,下層的厚度為50-150nm,上層的厚度為50-150nm。
4.制備權利要求1的一種La2Zr2O7單一過渡層梯度薄膜的方法,其特征在于,包括步驟如下:
1)Ti摻雜前驅液的制備:將乙酰丙酮鈦和乙酰丙酮鋯,按照鈦離子與鋯離子的摩爾比為x:2-x,其中,0.2≤x≤1.8,鈦離子與鋯離子的總濃度為0.1-1.0mol/L,溶解到丙酸中,在40℃旋轉攪拌30min,得到Ti摻雜的前驅液;
2)Y摻雜前驅液的制備:將醋酸釔和乙酰丙酮鋯,按釔離子與鋯離子的摩爾比為y:2-y,其中,0.2≤y≤1.8,鈦離子與鋯離子的總濃度為0.1-1.0mol/L,溶解到丙酸中,在40℃旋轉攪拌30min,得到Y摻雜的前驅液;
3)前驅液的涂覆:將Ti摻雜前驅液用旋涂的方式涂覆到Ni基板上,得到第一層前驅膜;
4)高溫燒結:在Ar4%H2保護氣體的條件下,將前驅膜于950-1200℃燒結30-60min,得到Ti摻雜La2Zr2O7過渡層薄膜;
5)根據步驟3)和步驟4),將Y摻雜的前驅液進行涂覆到Ti摻雜La2Zr2O7過渡層薄膜上于950-1200℃燒結30-60min,得到Y摻雜的第二層La2Zr2O7過渡層。
5.權利要求1-3所述的任一La2Zr2O7單一過渡層梯度薄膜應用到YBCO第二代高溫涂層超導體上,基板Ni上為La2Zr2-xTixO7薄膜,La2Zr2-yYyO7薄膜上生長YBCO。
6.按照權利要求5的La2Zr2O7單一過渡層梯度薄膜應用到YBCO第二代高溫涂層超導體上,其特征在于,通過調節摻雜量同時實現與基板Ni、超導層YBCO的100%匹配,即調整摻雜量使得La2Zr2-xTixO7的晶格常數與Ni基板相同,調整摻雜量使得La2Zr2-yYyO7的晶格常數與生長其上的YBCO相同。
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