[發(fā)明專利]背面隔離器件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410087481.4
• 申請(qǐng)日: 2014-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN103824805A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王連紅;董金文;陳俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種背面隔離器件，包括：

半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底具有第一表面和與之相對(duì)的第二表面；

所述半導(dǎo)體基底包括至少兩個(gè)器件單元區(qū)域以及隔離區(qū)域，所述隔離區(qū)域位于相鄰的所述器件單元區(qū)域之間；

所述隔離區(qū)域內(nèi)的所述第一表面具有第一隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離區(qū)域內(nèi)的所述第二表面具有第二隔離結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的背面隔離器件，其特征在于，所述第二隔離結(jié)構(gòu)為深槽隔離結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的背面隔離器件，其特征在于，所述第二隔離結(jié)構(gòu)接觸所述第一隔離結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的背面隔離器件，其特征在于，所述第二隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)的填充物為電子隔絕材料，所述電子隔絕材料為非金屬氧化物、無摻雜多晶硅、氮化物或金屬氧化物，其中，所述金屬氧化物的介電常數(shù)大于等于20。

5.如權(quán)利要求4所述的背面隔離器件，其特征在于，所述電子隔絕材料為化學(xué)氣相沉積或者爐管生長(zhǎng)的氧化硅、氮化硅或二氧化鉿。

6.如權(quán)利要求1所述的背面隔離器件，其特征在于，所述第二隔離結(jié)構(gòu)的深度為0.5μm～4μm。

7.如權(quán)利要求1所述的背面隔離器件，其特征在于，所述第一隔離結(jié)構(gòu)為淺槽隔離結(jié)構(gòu)或局部氧化隔離結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的背面隔離器件，其特征在于，所述背面隔離器件為圖像傳感器。

9.一種背面隔離器件的制備方法，包括：

提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底具有第一表面和與之相對(duì)的第二表面，所述半導(dǎo)體基底包括至少兩個(gè)器件單元區(qū)域和隔離區(qū)域，所述隔離區(qū)域位于相鄰的所述器件單元區(qū)域之間，所述隔離區(qū)域內(nèi)的所述第一表面具有第一隔離結(jié)構(gòu)；

在所述隔離區(qū)域內(nèi)的所述第二表面制備第二隔離結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求9所述的背面隔離器件的制備方法，其特征在于，所述在所述隔離區(qū)域內(nèi)的所述第二表面制備第二隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述第二表面制備掩膜層；

在所述掩膜層制備掩膜圖形，所述掩膜圖形位于所述隔離區(qū)域內(nèi)的所述掩膜層；

以所述掩膜圖形為掩膜，對(duì)所述半導(dǎo)體基底進(jìn)行刻蝕，在所述半導(dǎo)體基底的第二表面形成一溝槽；

在所述溝槽內(nèi)填充電子隔絕材料；

去除剩余的所述掩膜層，形成所述第二隔離結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求10所述的背面隔離器件的制備方法，其特征在于，采用高深寬比制程技術(shù)在所述溝槽內(nèi)填充電子隔絕材料。

12.如權(quán)利要求10所述的背面隔離器件的制備方法，其特征在于，所述電子隔絕材料為非金屬氧化物、無摻雜多晶硅、氮化物或金屬氧化物，其中，所述金屬氧化物的介電常數(shù)大于等于20。

13.如權(quán)利要求10所述的背面隔離器件的制備方法，其特征在于，所述電子隔絕材料為化學(xué)氣相沉積或者爐管生長(zhǎng)的氧化硅、氮化硅或二氧化鉿。

14.如權(quán)利要求9所述的背面隔離器件的制備方法，其特征在于，所述第二隔離結(jié)構(gòu)為深槽隔離結(jié)構(gòu)。

15.如權(quán)利要求9所述的背面隔離器件的制備方法，其特征在于，所述第二隔離結(jié)構(gòu)接觸所述第一隔離結(jié)構(gòu)。

16.如權(quán)利要求9所述的背面隔離器件的制備方法，其特征在于，所述第二隔離結(jié)構(gòu)的深度為0.5μm～4μm。

17.如權(quán)利要求9所述的背面隔離器件的制備方法，其特征在于，所述第一隔離結(jié)構(gòu)為淺槽隔離結(jié)構(gòu)或局部氧化隔離結(jié)構(gòu)。

18.如權(quán)利要求9所述的背面隔離器件的制備方法，其特征在于，所述背面隔離器件為圖像傳感器。