[發明專利]一種氧氮化硅結合高鋁-碳化硅預制件的制備方法

有效

• 申請號: 201410087226.X
• 申請日: 2014-03-11
• 公開（公告）號: CN103896610A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 賈全利;劉新紅;張舉;趙飛;孫庚辰;李富朝
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: C04B35/66
• 分類號: C04B35/66
• 代理公司: 鄭州中民專利代理有限公司 41110
• 代理人: 郭中民

1.一種氧氮化硅結合高鋁-碳化硅預制件的制備方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：

a、按重量份取礬土顆粒45~70份、莫來石顆粒0~22份、紅柱石顆粒0~18份、礬土細粉0~8?份、剛玉細粉0-10份、碳化硅顆粒及細粉5-12份、純鋁酸鈣水泥1~5份、二氧化硅微粉0~6份、氧化鋁微粉3~8?份和硅粉3-10份，以及上述原料重量份之和的0.05-0.30份減水劑，將上述原料均勻混合，并加水攪拌均勻后振動澆注成型，制成預制件坯體；

b、將a步驟制備的預制件坯體置于25-50℃的環境中養護12-24h后脫模，在300℃的條件下進行干燥處理，之后自然冷卻到室溫；

c、將經b步驟處理后的預制件坯體置于氮化爐中進行氮化燒成，在純度≥99.9%的流動氮氣氣氛下，以30-150℃/小時的速率升溫至1150~1180℃，保溫1-8h；以20-100℃/小時的速率升溫至1220-1260℃，保溫2-10小時；以20-100℃/小時的速率繼續升溫至1350℃保溫1-8小時；最后以30-120℃/小時的速率升溫至1370-1480℃，保溫3-12小時；冷卻至600℃時關閉氮氣，繼續冷卻至室溫后，即得到?氧氮化硅結合高鋁-碳化硅預制件，預制件中氧氮化硅的重量份數為8-35%。

2.根據權利要求1所述的氧氮化硅結合高鋁-碳化硅預制件的制備方法，其特征在于：由礬土顆粒、莫來石顆粒、紅柱石顆粒共同構成的顆粒料中，粒徑為8-1mm粗顆粒的重量百分比為64~72%、粒徑為1-0.08mm的中顆粒的重量百分比為28~36%；所述細粉的粒徑小于0.088mm；所述微粉的粒徑小于5μm?。

3.根據權利要求1所述的氧氮化硅結合高鋁-碳化硅預制件的制備方法，其特征在于：所述硅粉純度的重量比為：Si>98.0%。

4.根據權利要求1所述的氧氮化硅結合高鋁-碳化硅預制件的制備方法，其特征在于：碳化硅顆粒和細粉純度的重量比為：SiC≥95%,?其中顆粒的重量百分比為0~40%、細粉的重量百分比為60~100%。