[發(fā)明專利]襯底支撐器以及包含所述襯底支撐器的襯底處理設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410086935.6 | 申請日: | 2014-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN104046961B | 公開(公告)日: | 2016-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐映水;韓泳琪;李埈爀;李奎尙 | 申請(專利權(quán))人: | 燦美工程股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 韓國京畿道龍*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 支撐 以及 包含 處理 設(shè)備 | ||
1.一種襯底支撐器,包括:
襯底支撐件,支撐襯底;以及
多個支撐柱,在所述襯底支撐件下方支撐所述襯底支撐件的邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底支撐器,還包括從所述襯底支撐件的所述邊緣向外突出的多個突出部分,其中所述多個支撐柱分別支撐所述突出部分的底部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底支撐器,其中所述襯底支撐件包括:
第一區(qū)域,與所述襯底的后部接觸且加熱所述襯底同時維持第一溫度;以及第二區(qū)域,設(shè)置在所述第一區(qū)域外部且維持比所述第一溫度高或低的第二溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底支撐器,其中所述第二區(qū)域設(shè)置得高于或低于所述第一區(qū)域。
5.一種襯底處理設(shè)備,包括:
腔室,設(shè)有反應(yīng)空間且在底部的中央形成有排氣開口;
襯底支撐器,設(shè)置在所述腔室中且支撐襯底;
氣體注入組件,設(shè)置為與所述襯底支撐器相對,注入處理氣體且產(chǎn)生其等離子體;以及
排氣機(jī),連接到所述排氣開口且設(shè)置在所述腔室下方以將所述腔室的內(nèi)部排氣,其中所述襯底支撐器包括支撐所述襯底的襯底支撐件以及支撐所述襯底支撐件的外部的多個支撐柱,所述支撐柱將所述排氣開口安置于其之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備,還包括從所述襯底支撐件的邊緣向外突出的多個突出部分,其中所述多個支撐柱分別支撐所述突出部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底處理設(shè)備,其中所述襯底支撐件包括:
第一區(qū)域,其與所述襯底的后部接觸且加熱所述襯底同時維持第一溫度;以及第二區(qū)域,其設(shè)置在所述第一區(qū)域外部且維持比所述第一溫度高或低的第二溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備,其中所述氣體注入組件包括:
氣體注入單元,注入所述處理氣體;
電力單元,用于將高頻電力施加到所述氣體注入單元;以及
接地板,設(shè)置為與所述氣體注入單元分開某一間隔且形成有多個穿透孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理設(shè)備,還包括過濾器,其設(shè)置在所述氣體注入單元與所述襯底支撐器之間且形成有多個孔以隔開所述處理氣體的等離子體的一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備,其中所述氣體注入組件包括:
氣體注入單元,注入所述處理氣體;
電極,與所述氣體注入單元分開;以及
電力單元,用于將高頻電力施加到所述電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底處理設(shè)備,還包括過濾器,其設(shè)置在所述氣體注入單元與所述襯底支撐器之間且形成有多個孔以隔開所述處理氣體的等離子體的一部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備,其中所述氣體注入組件包括:
氣體注入單元,注入所述處理氣體;
天線,設(shè)置在所述腔室的外部的頂部和側(cè)面中的一者上;以及
電力單元,將高頻電力施加到所述天線。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備,其中所述氣體注入組件包括:
上方主體;
第一主體,安置在所述上方主體下方而與其分開;
第二主體,安置在所述第一主體下方且設(shè)有多個第一注入孔和多個第二注入孔;
連接管,包括內(nèi)部空間且經(jīng)安裝以上下穿透所述第一主體和所述第二主體;
電力供應(yīng)單元,將電力施加到所述上方主體、所述第一主體以及所述第二主體中的至少一者以在所述上方主體與所述第一主體之間形成等離子體區(qū)域且在所述第一主體與所述第二主體之間形成等離子體區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備,還包括將所述處理氣體供應(yīng)到所述上方主體的第一氣體供應(yīng)管和將所述處理氣體供應(yīng)到所述第一主體與所述第二主體之間的區(qū)域的第二氣體供應(yīng)管。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備,其中所述第一主體連接到所述電力供應(yīng)單元且所述上方主體和所述第二主體接地。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底處理設(shè)備,其中所述上方主體連接到第一電力供應(yīng)單元,第二主體連接到第二電力供應(yīng)單元,且所述第一主體接地。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
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